| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-39页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·热电效应 | 第13-16页 |
| ·塞贝克效应 | 第13-14页 |
| ·帕尔贴效应 | 第14-15页 |
| ·汤姆逊效应 | 第15-16页 |
| ·热电性能的表征 | 第16-23页 |
| ·热电优值与热电转换效率 | 第16-17页 |
| ·热电材料中的载流子输运 | 第17-23页 |
| ·提高热电优值的途径 | 第23-26页 |
| ·提高功率因子 | 第23-25页 |
| ·降低热导率 | 第25-26页 |
| ·碲化铅基热电材料 | 第26-28页 |
| ·本文主要研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-39页 |
| 第2章 密度泛函理论简介 | 第39-49页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·量子力学多体问题的计算复杂性 | 第39-41页 |
| ·密度泛函理论 | 第41-44页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第41页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第41-42页 |
| ·交换关联泛函 | 第42-44页 |
| ·赝势 | 第44-45页 |
| ·常用的第一性原理计算软件 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第3章 Ag、Sb单离子位共掺杂对PbTe(110)表面特性的影响 | 第49-73页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·计算模型与方法 | 第49-53页 |
| ·计算模型 | 第49-51页 |
| ·计算方法 | 第51-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-67页 |
| ·表面晶体结构 | 第53-54页 |
| ·理想表面与未掺杂弛豫表面电子结构特性 | 第54-58页 |
| ·Ag、Sb掺杂表面电子结构特性 | 第58-65页 |
| ·掺杂稳定性 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第4章 阴阳离子双位掺杂PbTe能带结构调制的第一性原理研究 | 第73-101页 |
| ·引言 | 第73-74页 |
| ·计算模型与设置 | 第74-76页 |
| ·建模 | 第74-75页 |
| ·计算细节 | 第75-76页 |
| ·结构弛豫与掺杂稳定性 | 第76-83页 |
| ·晶体结构优化 | 第76-81页 |
| ·双位杂质分布与掺杂稳定性 | 第81-83页 |
| ·双位掺杂碲化铅的电子结构特性 | 第83-96页 |
| ·未掺杂与单阴离子位替换掺杂的PbTe | 第83-84页 |
| ·含单价M(K与Ag)的双位掺杂情形 | 第84-88页 |
| ·含二价M(Ge与Sn)的双位掺杂情形 | 第88-90页 |
| ·含三价M(Sb与Bi)的双位掺杂情形 | 第90-93页 |
| ·掺杂浓度与杂质团簇效应 | 第93-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 第5章 能带弯曲对PbTe热电性能的影响 | 第101-125页 |
| ·引言 | 第101-102页 |
| ·计算方法与模型 | 第102-106页 |
| ·计算方法 | 第102页 |
| ·弛豫时间 | 第102-104页 |
| ·能带弯曲的模拟 | 第104-106页 |
| ·结果与讨论 | 第106-119页 |
| ·载流子跃迁形式分析 | 第106-107页 |
| ·Seebeck系数与电导率 | 第107-116页 |
| ·功率因子 | 第116-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-125页 |
| 第6章 (Sn,Se)双位掺杂PbTe热电性能的实验研究 | 第125-133页 |
| ·引言 | 第125页 |
| ·实验方法 | 第125-127页 |
| ·材料制备与成型 | 第125-127页 |
| ·分析测试方法 | 第127页 |
| ·结果与讨论 | 第127-131页 |
| ·材料成分分析 | 第127-129页 |
| ·(Sn,Se)双位掺杂对PbTe热电性能的影响 | 第129-131页 |
| ·本章小结 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-133页 |
| 第7章 总结与展望 | 第133-137页 |
| ·论文工作总结 | 第133-135页 |
| ·工作展望 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 在读期间所取得的学术成果 | 第139页 |
