| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·本课题石墨烯与GaN基材料接触的研究意义 | 第10-11页 |
| ·GaN材料 | 第11-13页 |
| ·石墨烯材料的性质与种类 | 第13-16页 |
| ·石墨烯与GaN接触研究现状 | 第16-21页 |
| 第2章 GaN材料外延生长及器件工艺 | 第21-37页 |
| ·GaN材料的外延生长 | 第21-26页 |
| ·GaN外延层生长质量测试 | 第26-29页 |
| ·石墨烯/GaN肖特基结构探测器制备方法 | 第29-37页 |
| 第3章 石墨烯与Ga N材料接触制备 | 第37-48页 |
| ·石墨烯转移方法的研究 | 第37-41页 |
| ·液态石墨烯制备方法的研究 | 第41-43页 |
| ·石墨烯透明导电电极的性能分析 | 第43-48页 |
| 第4章 石墨烯/GaN探测器性能表征与机理研究 | 第48-56页 |
| ·石墨烯/GaN肖特基结构探测器设计 | 第48-50页 |
| ·石墨烯/GaN肖特基结构探测器的性能表征 | 第50-56页 |
| 第5章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第64-66页 |
| 指导教师及作者简介 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |