| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·窄线宽半导体激光器的研究背景 | 第10-12页 |
| ·窄线宽半导体激光器的发展及现状 | 第10-12页 |
| ·窄线宽半导体激光器的应用前景 | 第12页 |
| ·几种通过减小相位噪声压窄线宽的方法 | 第12-16页 |
| ·光反馈技术压窄半导体激光器的线宽 | 第12-14页 |
| ·电负反馈技术压窄激光器线宽 | 第14-15页 |
| ·混合电光反馈技术压窄激光器线宽 | 第15-16页 |
| ·窄线宽激光器线宽的测量方法 | 第16-17页 |
| ·本文的主要研究内容与工作计划 | 第17-18页 |
| ·本文的主要创新点 | 第18-19页 |
| 第二章 半导体激光器的基本理论与线宽特性 | 第19-26页 |
| ·半导体激光器的基本理论 | 第19-23页 |
| ·半导体激光器的特点及基本结构 | 第19-20页 |
| ·半导体激光器的光学特性 | 第20-21页 |
| ·半导体激光器的电学特性 | 第21-23页 |
| ·半导体激光器的线宽特性 | 第23-25页 |
| ·半导体激光器的线宽 | 第23-24页 |
| ·电负反馈压窄半导体激光器的线宽理论 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基于单边带调制的前馈技术压窄半导体激光器线宽的研究 | 第26-40页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·单边带调制的基本原理及仿真结果 | 第26-34页 |
| ·铌酸锂（LiNbO_3）晶体的电光效应 | 第26-28页 |
| ·铌酸锂相位调制器的工作原理 | 第28-29页 |
| ·铌酸锂强度调制器的工作原理及仿真结果 | 第29-32页 |
| ·铌酸锂单边带调制器的工作原理 | 第32-34页 |
| ·基于单边带调制的前馈技术压窄半导体激光器线宽 | 第34-39页 |
| ·系统原理 | 第34-36页 |
| ·结果及分析 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 基于电反馈的改进型 PDH 技术压窄半导体激光器线宽的研究 | 第40-51页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·窄带光滤波器的理论分析及仿真 | 第40-42页 |
| ·取样光纤光栅的理论分析及仿真 | 第40-42页 |
| ·频移 MZ 干涉仪 | 第42-47页 |
| ·MZ 干涉仪的结构及工作原理 | 第42-43页 |
| ·声光效应及声光调制器 | 第43-46页 |
| ·频移 MZ 干涉仪的结构及工作原理 | 第46-47页 |
| ·基于电反馈的改进型 PDH 技术压窄半导体激光器线宽 | 第47-50页 |
| ·系统原理 | 第47-49页 |
| ·结果及分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
