| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-34页 |
| ·研究背景 | 第9-16页 |
| ·太阳能电池发展 | 第9-11页 |
| ·纳米晶太阳能电池 | 第11-16页 |
| ·CuInSe_2 薄膜材料 | 第16-19页 |
| ·CuInSe_2 薄膜材料的结构特性 | 第16-17页 |
| ·CuInSe_2 材料的光学性质 | 第17-18页 |
| ·CuInSe_2 材料的电学性质 | 第18-19页 |
| ·CuInSe_2 材料制备方法 | 第19-26页 |
| ·三元共蒸发法 | 第19-20页 |
| ·溅射法 | 第20-21页 |
| ·分子束外延法 | 第21-22页 |
| ·液相外延法 | 第22页 |
| ·电化学沉积 | 第22-23页 |
| ·连续离子层吸附反应(SILAR)法 | 第23-24页 |
| ·低温液相法制备CuInSe_2 薄膜的优点以及存在的问题 | 第24-26页 |
| ·TiO_2 薄膜材料 | 第26-32页 |
| ·TiO_2 材料的结构 | 第26-27页 |
| ·TiO_2 半导体的光电性能及其在太阳能电池中的应用 | 第27-29页 |
| ·溶胶-凝胶法TiO_2 材料的制备 | 第29-31页 |
| ·溶胶-凝胶法制备TiO_2 介孔薄膜研究的不足 | 第31-32页 |
| ·课题的提出及创新点 | 第32-34页 |
| 第二章 SILAR 法制备的CuInSe_2薄膜 | 第34-64页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·实验部分 | 第35-42页 |
| ·实验原料及设备 | 第35-36页 |
| ·实验过程与方案设计 | 第36-40页 |
| ·测试与表征 | 第40-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-63页 |
| ·分离与混合型阳离子前躯体溶液的影响 | 第42-51页 |
| ·SILAR 溶液温度的影响 | 第51-58页 |
| ·前躯体溶液浓度的影响 | 第58-61页 |
| ·热处理的影响 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第三章 双阶跃电位沉积的CuInSe_2薄膜 | 第64-88页 |
| ·引言 | 第64-66页 |
| ·实验部分 | 第66-71页 |
| ·实验原料及设备 | 第66-67页 |
| ·实验过程与方案 | 第67-70页 |
| ·测试与表征 | 第70-71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-86页 |
| ·电化学特性与双阶跃恒电位 | 第71-75页 |
| ·DPSED-CuInSe_2 薄膜的生长与机理 | 第75-81页 |
| ·DPSED-CuInSe_2 薄膜双阶跃恒电位参数变化的影响 | 第81-83页 |
| ·电解液 Cu/In/Se 比的变化对沉积薄膜的影响 | 第83-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第四章Sol-Gel 法TiO_2薄膜的制备 | 第88-122页 |
| ·引言 | 第88-89页 |
| ·实验部分 | 第89-96页 |
| ·实验原料及设备 | 第89-90页 |
| ·实验过程与方案 | 第90-94页 |
| ·测试与表征 | 第94-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-120页 |
| ·CH_3CH=NOH 修饰Ti(O~iPr)_4 晶体的制备 | 第96-97页 |
| ·F127 作为成孔剂对制备介孔TiO_2 薄膜的影响 | 第97-107页 |
| ·Brij56 作为成孔剂对介孔TiO_2 的影响及与F127 的对比 | 第107-120页 |
| ·本章小结 | 第120-122页 |
| 第五章 TiO_2/CuInSe_2异质结构的制备与性能 | 第122-139页 |
| ·引言 | 第122-123页 |
| ·实验部分 | 第123-128页 |
| ·实验原料及设备 | 第123-124页 |
| ·实验方案与设计 | 第124-126页 |
| ·测试与表征 | 第126-128页 |
| ·结果与讨论 | 第128-137页 |
| ·TiO_2 薄膜性能 | 第128-130页 |
| ·CuInSe_2 在TiO_2 基底上沉积 | 第130-134页 |
| ·CuInSe_2/TiO_2 异质结构性能 | 第134-137页 |
| ·本章小结 | 第137-139页 |
| 第六章 结论 | 第139-142页 |
| 参考文献 | 第142-157页 |
| 攻读博士学位期间发表论文和科研情况说明 | 第157-159页 |
| 致谢 | 第159页 |
