| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·研究的背景及其意义 | 第11-13页 |
| ·国内外研究现状及存在问题 | 第13-15页 |
| ·本论文的研究重点和安排 | 第15-17页 |
| 第二章 射频电路无源元件以及CMOS器件特性 | 第17-28页 |
| ·射频电路中的无源元件分析 | 第17-23页 |
| ·射频情况下互连线的趋肤效应 | 第17-19页 |
| ·射频电路中的元件分析 | 第19-23页 |
| ·射频电路中的CMOS器件分析以及二阶效应 | 第23-27页 |
| ·CMOS器件分析 | 第23-26页 |
| ·MOS管的二阶效应 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 射频收发前端结构与关键单元分析 | 第28-41页 |
| ·射频前端的结构 | 第28-31页 |
| ·收发机射频前端的几种拓扑结构 | 第29-30页 |
| ·发射机 | 第30-31页 |
| ·低噪声放大器的设计参量 | 第31-37页 |
| ·稳定性 | 第32页 |
| ·噪声 | 第32-35页 |
| ·线性度 | 第35-37页 |
| ·功率放大器(PA)和收发开关 | 第37-40页 |
| ·功率放大器 | 第37-39页 |
| ·发送/接收切换开关(T/R Switch) | 第39-40页 |
| ·基于功耗约束的噪声优化技术 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 低噪声放大器电路的设计与仿真 | 第41-50页 |
| ·低噪声放大器的设计 | 第41-49页 |
| ·MOSFETLNA的拓扑结构 | 第41-44页 |
| ·Cascode结构的分析 | 第44-45页 |
| ·CMOS低噪声放大器电路 | 第45-47页 |
| ·低噪声放大器的仿真分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 射频收发前端的版图集成与流片后芯片的实测结果分析 | 第50-55页 |
| ·版图设计的规则与技巧 | 第50-52页 |
| ·LNA版图实现 | 第52页 |
| ·射频前端版图实现和芯片测试 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 总结与展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |