GaN基高效率功率放大器的研究与设计
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-11页 |
·研究背景 | 第7-8页 |
·国内外研究动态 | 第8-10页 |
·晶体管技术的发展 | 第8-9页 |
·高效率功放的发展现状 | 第9-10页 |
·课题的研究内容与章节安排 | 第10-11页 |
第二章 微波功率放大器的设计基础 | 第11-23页 |
·GaN HEMT 器件的概述 | 第11-12页 |
·射频功率放大器的性能指标 | 第12-19页 |
·工作频带 | 第12-13页 |
·输出功率 | 第13页 |
·功率增益 | 第13-14页 |
·效率和功率附加效率 | 第14页 |
·稳定性 | 第14-17页 |
·非线性分析 | 第17-19页 |
·输入输出驻波比 | 第19页 |
·功率放大器的分类 | 第19-21页 |
·射频功放中常用的设计方法 | 第21-23页 |
第三章 F 类功率放大器的工作原理 | 第23-33页 |
·理想 F 类功放工作原理 | 第23-24页 |
·F 类功率放大器最平坦波形分析 | 第24-31页 |
·集总参数元件设计的 F 类功率放大器 | 第31-32页 |
·具有微带传输线的 F 类功率放大器 | 第32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第四章 Doherty 高效率功放的原理 | 第33-43页 |
·Doherty 功放的基本结构 | 第33页 |
·有源负载牵引原理 | 第33-35页 |
·四分之一波长阻抗变换传输线 | 第35-36页 |
·传输线特征阻抗的确定 | 第36-38页 |
·Wilkinson 功分器 | 第38-39页 |
·Doherty 功率放大器的工作状态 | 第39-43页 |
第五章 F 类功率放大器的设计 | 第43-53页 |
·设计指标 | 第43页 |
·功放芯片和介质基片的选取 | 第43-44页 |
·功放芯片的选择 | 第43-44页 |
·介质基片的选取 | 第44页 |
·F 类功放的仿真设计 | 第44-53页 |
·直流特性分析 | 第45-46页 |
·谐波控制电路 | 第46-48页 |
·负载牵引法 | 第48-50页 |
·匹配网络的设计 | 第50-51页 |
·F 类功放的仿真 | 第51-53页 |
第六章 Doherty 高效率功放的设计 | 第53-63页 |
·Doherty 功放的设计指标 | 第53页 |
·单管功放的仿真设计 | 第53-58页 |
·静态工作点的选取 | 第53页 |
·稳定性仿真 | 第53-55页 |
·最优负载阻抗和源阻抗的提取 | 第55-57页 |
·匹配网络的设计 | 第57页 |
·单管的谐波平衡仿真 | 第57-58页 |
·Doherty 功率放大器的设计 | 第58-63页 |
·威尔金森功分器的设计 | 第58-59页 |
·Doherty 功放的设计 | 第59-61页 |
·AB 类平衡放大器的设计 | 第61-63页 |
第七章 结论 | 第63-65页 |
致谢 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-70页 |