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流态化多晶硅还原过程的模拟与温度场分析

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-8页
符号说明第8-10页
第一章 文献综述第10-44页
   ·引言第10页
   ·世界主要多晶硅生产工艺技术第10-17页
       ·多晶硅的概念第10页
       ·多晶硅产品分类第10-11页
       ·多晶硅产品的应用第11页
       ·国内外多晶硅产业的发展现状与趋势第11页
       ·目前制备多晶硅常用的生产工艺第11-17页
   ·流态化技术与发展第17-19页
     ·流化床的发展现状第17-18页
     ·流化床反应器概述第18页
     ·流化床中的流化特性第18-19页
   ·流化床中的传递过程第19-33页
     ·流化床与浸入表面之间的传热机制第19-20页
     ·流化床传热模型第20-30页
     ·传热过程第30-33页
     ·气固间的传质过程第33页
   ·流态化过程中的模型建立第33-42页
     ·计算模型第33-35页
     ·双流体模型的质量、动量、能量方程第35-37页
     ·相间交换系数第37-39页
     ·颗粒温度第39-40页
     ·固体压力第40-41页
     ·固体剪切粘度第41-42页
   ·流态化技术生产多晶硅第42-43页
   ·本课题的创新点第43-44页
第二章 流化床制备多晶硅温度场的研究第44-54页
   ·建立流化床模型第44-50页
     ·流化床几何模型第44-48页
     ·模型中参数的确定第48-50页
   ·空隙率计算第50页
   ·时间步长选择第50页
   ·松弛因子的选择第50-54页
第三章 流化床温度场的模拟研究第54-78页
   ·流化床反应器的设计现状第54-58页
   ·床内硅粉颗粒瞬时体积分数分布第58-60页
   ·温度场分布第60-73页
     ·传热模型第60-62页
     ·床内温度场的分布第62-70页
     ·内外加热方式的温度场比较第70-71页
     ·内加热流化床内气体温度分布第71-73页
   ·压力场分布第73-78页
第四章 流化床中多晶硅的沉积反应第78-90页
   ·流化床法生产多晶硅的原理第78页
   ·多晶硅的反应机理第78-79页
   ·硅烷分解速率的影响因素第79-80页
   ·模拟结果与分析第80-90页
     ·压力一定,温度不同时床内硅烷的分解情况第80-83页
     ·温度一定,压力不同时床内硅烷的分解情况第83-85页
     ·温度为923K,压力为180Kpa时床内物质分布第85-90页
结论与展望第90-92页
参考文献第92-98页
致谢第98-99页
攻读学位期间发表的学术论文目录第99-100页

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