摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-8页 |
符号说明 | 第8-10页 |
第一章 文献综述 | 第10-44页 |
·引言 | 第10页 |
·世界主要多晶硅生产工艺技术 | 第10-17页 |
·多晶硅的概念 | 第10页 |
·多晶硅产品分类 | 第10-11页 |
·多晶硅产品的应用 | 第11页 |
·国内外多晶硅产业的发展现状与趋势 | 第11页 |
·目前制备多晶硅常用的生产工艺 | 第11-17页 |
·流态化技术与发展 | 第17-19页 |
·流化床的发展现状 | 第17-18页 |
·流化床反应器概述 | 第18页 |
·流化床中的流化特性 | 第18-19页 |
·流化床中的传递过程 | 第19-33页 |
·流化床与浸入表面之间的传热机制 | 第19-20页 |
·流化床传热模型 | 第20-30页 |
·传热过程 | 第30-33页 |
·气固间的传质过程 | 第33页 |
·流态化过程中的模型建立 | 第33-42页 |
·计算模型 | 第33-35页 |
·双流体模型的质量、动量、能量方程 | 第35-37页 |
·相间交换系数 | 第37-39页 |
·颗粒温度 | 第39-40页 |
·固体压力 | 第40-41页 |
·固体剪切粘度 | 第41-42页 |
·流态化技术生产多晶硅 | 第42-43页 |
·本课题的创新点 | 第43-44页 |
第二章 流化床制备多晶硅温度场的研究 | 第44-54页 |
·建立流化床模型 | 第44-50页 |
·流化床几何模型 | 第44-48页 |
·模型中参数的确定 | 第48-50页 |
·空隙率计算 | 第50页 |
·时间步长选择 | 第50页 |
·松弛因子的选择 | 第50-54页 |
第三章 流化床温度场的模拟研究 | 第54-78页 |
·流化床反应器的设计现状 | 第54-58页 |
·床内硅粉颗粒瞬时体积分数分布 | 第58-60页 |
·温度场分布 | 第60-73页 |
·传热模型 | 第60-62页 |
·床内温度场的分布 | 第62-70页 |
·内外加热方式的温度场比较 | 第70-71页 |
·内加热流化床内气体温度分布 | 第71-73页 |
·压力场分布 | 第73-78页 |
第四章 流化床中多晶硅的沉积反应 | 第78-90页 |
·流化床法生产多晶硅的原理 | 第78页 |
·多晶硅的反应机理 | 第78-79页 |
·硅烷分解速率的影响因素 | 第79-80页 |
·模拟结果与分析 | 第80-90页 |
·压力一定,温度不同时床内硅烷的分解情况 | 第80-83页 |
·温度一定,压力不同时床内硅烷的分解情况 | 第83-85页 |
·温度为923K,压力为180Kpa时床内物质分布 | 第85-90页 |
结论与展望 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-98页 |
致谢 | 第98-99页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第99-100页 |