| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·课题背景 | 第12-13页 |
| ·非晶硅(α-Si：H)薄膜 | 第13-15页 |
| ·非晶硅(α-Si：H)薄膜概述 | 第13页 |
| ·非晶硅(α-Si：H)薄膜的结构 | 第13-15页 |
| ·非晶硅(α-Si：H)薄膜的能带结构 | 第15页 |
| ·纳米硅(nc-Si)薄膜 | 第15-18页 |
| ·纳米硅(nc-Si)薄膜的特性 | 第15-16页 |
| ·纳米硅(nc-Si)薄膜的结构 | 第16页 |
| ·纳米硅(nc-Si)薄膜导电机制 | 第16-17页 |
| ·纳米硅(nc-Si)薄膜能带结构 | 第17-18页 |
| ·非晶硅(α-Si：H)薄膜制备方法 | 第18-19页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法(PECVD) | 第18页 |
| ·溅射法 | 第18页 |
| ·热丝化学气相沉积法(HW-CVD) | 第18页 |
| ·微波电子回旋共振化学气相沉积法(MWECR-CVD) | 第18-19页 |
| ·PECVD中非晶硅(α-Si：H)薄膜的生长过程 | 第19-20页 |
| ·纳米硅薄膜制备方法 | 第20-22页 |
| ·直接制备法 | 第20-21页 |
| ·再结晶制备法 | 第21-22页 |
| ·常规高温退火法 | 第21页 |
| ·快速退火法 | 第21页 |
| ·金属诱导晶化法 | 第21页 |
| ·激光退火法 | 第21-22页 |
| ·纳米硅薄膜的应用 | 第22-23页 |
| ·薄膜太阳能电池 | 第22页 |
| ·薄膜晶体管 | 第22页 |
| ·压力传感器 | 第22-23页 |
| ·其他应用 | 第23页 |
| ·选题依据与研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验制备与分析测试 | 第24-32页 |
| ·实验设备 | 第24-26页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备 | 第24-25页 |
| ·快速退火炉 | 第25-26页 |
| ·高温退火炉 | 第26页 |
| ·小型磁控溅射设备 | 第26页 |
| ·原材料与衬底 | 第26-27页 |
| ·PECVD原料气体 | 第26-27页 |
| ·小型磁控溅射靶材 | 第27页 |
| ·衬底 | 第27页 |
| ·样品制备与处理 | 第27-29页 |
| ·石英玻璃衬底处理 | 第27页 |
| ·非晶硅(α-Si：H)薄膜制备 | 第27页 |
| ·快速退火处理 | 第27-28页 |
| ·管式炉退火处理 | 第28页 |
| ·薄膜电极制备 | 第28-29页 |
| ·分析与测试方法 | 第29-32页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第29页 |
| ·激光拉曼光谱(Raman) | 第29页 |
| ·紫外-可见透射光谱(UV-vis) | 第29-30页 |
| ·场发射扫描电镜(SEM) | 第30页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第30页 |
| ·光暗电导率测试(High Resistance Meter) | 第30-31页 |
| ·椭偏测试 | 第31-32页 |
| 第三章 非晶硅薄膜的制备、微结构与性能研究 | 第32-46页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·非晶硅薄膜制备 | 第32页 |
| ·氢稀释比对硅薄膜沉积速率、微结构及性能的影响 | 第32-40页 |
| ·氢稀释比对硅薄膜沉积速率的影响 | 第33-35页 |
| ·氢稀释比对硅薄膜微结构的影响 | 第35-38页 |
| ·氢稀释比对非晶硅薄膜光学性能的影响 | 第38-40页 |
| ·沉积温度对硅薄膜沉积速率、微结构及性能的影响 | 第40-45页 |
| ·沉积温度对硅薄膜沉积速率的影响 | 第40-41页 |
| ·沉积温度对硅薄膜微结构的影响 | 第41-44页 |
| ·沉积温度对非晶硅薄膜光学性能的影响 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 纳米硅薄膜的制备、微结构与性能研究 | 第46-70页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·常规高温退火法(SPC)制备nc-Si薄膜 | 第46-57页 |
| ·退火温度对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第46-50页 |
| ·退火温度对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第50-51页 |
| ·非晶硅薄膜微结构对其晶化的影响 | 第51-56页 |
| ·非晶硅薄膜退火制度优化 | 第56-57页 |
| ·快速退火法制备nc-Si薄膜 | 第57-61页 |
| ·快速退火制度对薄膜晶化的影响 | 第57-59页 |
| ·纳米硅(nc-Si)硅薄膜结构 | 第59页 |
| ·纳米硅(nc-Si)薄膜光学性能 | 第59-61页 |
| ·RTP/SPC结合法制备nc-Si薄膜 | 第61-64页 |
| ·实验参数 | 第61页 |
| ·RTP预处理对薄膜晶化的影响 | 第61-64页 |
| ·nc-Si薄膜的微结构与电学性能之间的联系 | 第64-66页 |
| ·nc-Si薄膜的微结构与光学性能之间的联系 | 第66-68页 |
| ·nc-Si薄膜结晶程度对光吸收系数的影响 | 第66-67页 |
| ·nc-Si薄膜结晶程度对光学带隙的影响 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 全文总结及研究展望 | 第70-72页 |
| ·研究结论 | 第70-71页 |
| ·研究展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 个人简历 | 第80-82页 |
| 攻读研究生期间发表的论文与取得的其他研究成果 | 第82页 |
