GaN基LED芯片金属晶圆键合工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 晶圆键合 | 第10-21页 |
| ·键合概述 | 第10页 |
| ·键合条件 | 第10-12页 |
| ·前期准备工作 | 第12-13页 |
| ·表面活化处理 | 第12页 |
| ·预键合 | 第12页 |
| ·热处理 | 第12-13页 |
| ·键合的种类及应用 | 第13-21页 |
| ·直接键合 | 第13-15页 |
| ·阳极键合 | 第15-17页 |
| ·金属键合 | 第17-18页 |
| ·低温键合 | 第18-21页 |
| 2 实验设备及表征 | 第21-34页 |
| ·实验仪器简介 | 第21-27页 |
| ·仪器配置图 | 第21-22页 |
| ·键合机特征与主要参数 | 第22页 |
| ·操作步骤 | 第22-23页 |
| ·具体操作流程 | 第23-27页 |
| ·表征手段 | 第27-34页 |
| ·超声扫描显微镜(SAM) | 第28-29页 |
| ·弯曲度(Bow)和翘曲度(Warp) | 第29-31页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第31-34页 |
| 3 键合温度、压力及衬底材料对金属键合的研究 | 第34-43页 |
| ·实验 | 第34-35页 |
| ·结果与分析 | 第35-42页 |
| ·键合的有效面积 | 第35-37页 |
| ·翘曲度 | 第37-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 降温过程中温度和压力的变化率对金属键合的研究 | 第43-48页 |
| ·实验 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-47页 |
| ·温度变化率的影响 | 第44-45页 |
| ·压力变化率的影响 | 第45-46页 |
| ·温度和键合压力同时变化的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
