硅纳米线阵列的制备及性能研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·硅纳米材料的研究背景 | 第12页 |
| ·硅纳米线的研究现状 | 第12-28页 |
| ·硅的基本性质 | 第12-14页 |
| ·硅纳米线的制备方法 | 第14-19页 |
| ·硅纳米线的性能 | 第19-22页 |
| ·硅纳米线的应用 | 第22-28页 |
| ·其它硅纳米材料的研究现状 | 第28-30页 |
| ·本文研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 实验内容及测试方法 | 第32-36页 |
| ·试剂与仪器 | 第32-33页 |
| ·材料的表征方法 | 第33-36页 |
| ·X射线衍射 | 第33页 |
| ·场发射扫描电镜 | 第33-34页 |
| ·高分辨透射电镜 | 第34页 |
| ·傅里叶红外光谱 | 第34页 |
| ·拉曼光谱 | 第34-35页 |
| ·光催化性能测试 | 第35-36页 |
| 第三章 化学刻蚀法制备硅纳米线阵列 | 第36-55页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验部分 | 第37页 |
| ·硅纳米线阵列的制备 | 第37页 |
| ·硅片的清洗 | 第37页 |
| ·制备过程 | 第37页 |
| ·样品的表征 | 第37页 |
| ·结果分析与讨论 | 第37-54页 |
| ·各种实验参数对硅纳米线阵列的影响 | 第37-48页 |
| ·HF浓度对硅纳米线阵列的影响 | 第38-40页 |
| ·硝酸银浓度对硅纳米线阵列的影响 | 第40-43页 |
| ·反应温度对硅纳米线阵列的影响 | 第43-45页 |
| ·反应时间对硅纳米线阵列的影响 | 第45-48页 |
| ·X射线衍射分析 | 第48-49页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第49-50页 |
| ·漫反射光谱分析 | 第50-51页 |
| ·硅纳米线阵列的生长机理 | 第51-52页 |
| ·不同化学刻蚀法得到的两种特殊纳米结构 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 氢终端多孔硅纳米线阵列的光催化性能研究 | 第55-68页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·实验部分 | 第55-57页 |
| ·多孔硅纳米阵列的制备 | 第55-56页 |
| ·多孔硅纳米线阵列的修饰 | 第56页 |
| ·样品的表征 | 第56页 |
| ·光催化性能测试 | 第56-57页 |
| ·结果分析与讨论 | 第57-67页 |
| ·多孔硅纳米线阵列的扫描电镜与高分辨透射电镜分析 | 第57-59页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第59页 |
| ·X射线衍射分析 | 第59-60页 |
| ·Pt、Au修饰多孔硅纳米线阵列的扫描电镜分析 | 第60-62页 |
| ·光催化性能分析 | 第62-66页 |
| ·光催化降解机理 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第75-76页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第76页 |
