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空心阴极放电烧结SiC_w增强钛基复合材料及其性能研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-13页
第一章 绪论第13-23页
   ·钛基复合材料简介第13-14页
     ·钛基复合材料的产生背景与应用现状第13-14页
     ·钛基复合材料的发展趋势与研究进展第14页
   ·钛基复合材料的设计原则第14-17页
     ·钛基体与增强体的比例控制第14-15页
     ·钛基体与增强体的相容性原则第15-17页
     ·SiC 晶须增强体的特性第17页
   ·钛基复合材料的制备方法第17-21页
     ·连续增强钛基复合材料制备方法第17-18页
     ·非连续增强钛基复合材料的制备方法第18-20页
     ·空心阴极等离子烧结技术第20-21页
   ·本课题研究目的及内容第21-23页
第二章 烧结空心阴极放电结构设计第23-32页
   ·空心阴极烧结技术的可行性分析第23-26页
     ·稀薄气体辉光放电第23-24页
     ·空心阴极放电效应第24-25页
     ·空心阴极放电特性第25-26页
   ·空心阴极结构设计第26-31页
     ·影响空心阴极放电的因素第26-27页
     ·空心阴极结构设计实验第27-31页
   ·本章小结第31-32页
第三章 SiC_w增强钛基复合材料制备工艺研究第32-42页
   ·实验准备第32-33页
     ·实验材料第32页
     ·实验设备第32-33页
   ·复合材料的制备第33-35页
     ·配料及混粉第33页
     ·毛坯压制第33-34页
     ·烧结第34-35页
   ·复合材料的显微组织第35-39页
     ·复合材料的孔隙变化第35-37页
     ·复合材料的组织形貌第37-38页
     ·复合材料的XRD 分析第38-39页
   ·复合材料的致密度第39-41页
     ·复合材料的致密度随温度的变化第40页
     ·复合材料的致密度随保温时间的变化第40-41页
   ·本章小结第41-42页
第四章 SiC_w表面处理工艺对复合材料界面特性的影响第42-53页
   ·SiC_w 的预处理第42-46页
     ·SiC_w 的分散方法第42页
     ·SiC_w 的表面处理方法第42-43页
     ·SiC_w 预处理方案第43-46页
   ·晶须对复合材料的致密度的影响第46-48页
     ·晶须的添加量对复合材料的致密度的影响第46-48页
     ·不同晶须预处理工艺对复合材料的致密度影响第48页
   ·复合材料的界面分析第48-51页
     ·复合材料界面形貌第48-50页
     ·SiC_w 表面处理工艺对复合材料界面的影响第50-51页
   ·本章小结第51-53页
第五章 复合材料力学性能第53-60页
   ·弯曲试验与复合材料的抗弯强度第53-56页
     ·烧结温度对复合材料抗弯强度的影响第53页
     ·SiC_w 添加量对复合材料抗弯强度的影响第53-54页
     ·SiC_w 预处理工艺对抗弯强度的影响第54-55页
     ·SiC_w 增强增韧的机制分析第55-56页
   ·复合材料的维氏硬度与断裂韧性第56-58页
     ·维氏硬度与断裂韧性测试第56-57页
     ·SiC_w 含量与SiC_w 预处理工艺对复合材料的断裂韧性影响第57-58页
   ·本章小结第58-60页
第六章 总结第60-62页
参考文献第62-67页
致谢第67-68页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第68页

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