| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-19页 |
| ·纳米硅材料 | 第9-10页 |
| ·硅基复合材料 | 第10-13页 |
| ·纳米复合材料 | 第10-11页 |
| ·硅基纳米复合材料 | 第11-12页 |
| ·金属/硅基纳米复合材料 | 第12页 |
| ·金属/半导体接触理论综述 | 第12-13页 |
| ·金属/纳米硅复合材料电学特性的研究 | 第13-17页 |
| ·金属/多孔硅复合材料 | 第14-15页 |
| ·金属/硅纳米孔柱阵列纳米复合材料 | 第15-16页 |
| ·硅纳米孔柱阵列 | 第16页 |
| ·纳米金属的发展 | 第16-17页 |
| ·金属/硅纳米孔柱阵列 | 第17页 |
| ·金属/硅纳米孔柱阵列的电学特性研究 | 第17-18页 |
| ·本论文主要工作及研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 金/硅纳米孔柱阵列的电学特性研究 | 第19-34页 |
| ·引言 | 第19-22页 |
| ·金/纳米硅电学特性研究综述 | 第19-20页 |
| ·金属/纳米硅复合材料接触结的电流输运机制 | 第20-22页 |
| ·扩散电流模型 | 第20页 |
| ·热电子发射模型 | 第20-21页 |
| ·隧道电流模型 | 第21页 |
| ·电流模型修正 | 第21-22页 |
| ·金/硅纳米孔柱阵列复合材料电学特性随沉积时间增加的变化 | 第22-31页 |
| ·金/硅纳米孔柱阵列样品 I-V 特性测试 | 第22-23页 |
| ·Au/Si-NPA 样品的 I-V 分析 | 第23-27页 |
| ·Au/Si-NPA 电学特性随沉积时间不同而变化原因的分析 | 第27-31页 |
| ·A 类样品电学特性随沉积时间不同而变化原因的分析 | 第27-29页 |
| ·B 类样品电学特性随沉积时间不同而变化原因的分析 | 第29-31页 |
| ·Au/Si-NPA 电学特性随衬底氧化状况的不同而变化 | 第31-33页 |
| ·Au/Si-NPA 的 I-V 特性测试 | 第31-32页 |
| ·Au/Si-NPA 的 I-V 特性分析 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 铜/硅纳米孔柱阵列电学特性研究 | 第34-41页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·纳米铜的研究 | 第34-35页 |
| ·纳米铜复合材料的研究 | 第35页 |
| ·实验 | 第35-38页 |
| ·u/Si-NPA 的电学特性随沉积时间的不同而变化 | 第36-38页 |
| ·Cu/Si-NPA 样品的 I-V 特性测试 | 第36-37页 |
| ·Cu/Si-NPA 样品的 I-V 特性随沉积时间而变化原因的分析 | 第37-38页 |
| ·Cu/Si-NPA 的电学特性随衬底放置时间的变化而变化 | 第38-39页 |
| ·Cu/Si-NPA 样品的 I-V 特性测试 | 第38-39页 |
| ·分析 Cu/Si-NPA 样品电学特性随衬底放置时间不同而变化的原因 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 金属/硅纳米孔柱阵列与其衬底电学特性的对比 | 第41-48页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·Au/Si-NPA 和 Si-NPA 样品的 I-V 特性 | 第42-45页 |
| ·实验 | 第42-43页 |
| ·Au/Si-NPA 样品 I-V 特性分析 | 第43-45页 |
| ·探索 Au/Si-NPA 样品整流特性的来源 | 第45页 |
| ·Cu/Si-NPA 样品电学特性的测试 | 第45-46页 |
| ·Au/Si-NPA 样品、Cu/Si-NPA 样品与 Si-NPA 衬底 I-V 特性的比较 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 个人简历 | 第59页 |
