| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-31页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池基本原理 | 第14-18页 |
| ·薄膜太阳能电池简介 | 第18-19页 |
| ·CuIn(Ga)Se_2薄膜太阳能电池 | 第19-23页 |
| ·CuIn(Ga)Se_2薄膜太阳能电池的发展 | 第19-20页 |
| ·CuIn(Ga)Se_2薄膜太阳能电池的器件结构和基本原理 | 第20-23页 |
| ·CuInSe_2吸收层 | 第23-28页 |
| ·CuInSe_2的结构、电学和光学性质 | 第23-26页 |
| ·CuIn(Ga)Se_2薄膜的制备方法 | 第26-28页 |
| ·CdS薄膜的性质 | 第28页 |
| ·本论文的研究工作 | 第28-31页 |
| 第2章 化学浴沉积CdS薄膜及CdCl_2热处理机理研究 | 第31-59页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·化学浴沉积法制备CdS薄膜 | 第32-35页 |
| ·化学浴沉积CdS薄膜的机理 | 第32-34页 |
| ·化学浴沉积CdS薄膜的实验方法 | 第34-35页 |
| ·CdCl_2热处理促进CdS薄膜再结晶的机理研究 | 第35-51页 |
| ·研究背景 | 第35-37页 |
| ·CdS薄膜的CdCl_2热处理实验方法和表征 | 第37-38页 |
| ·CdCl_2热处理和空气热处理对CdS薄膜形貌和结构的影响 | 第38-41页 |
| ·CdCl_2热处理和空气热处理对CdS薄膜光学性质的影响 | 第41-42页 |
| ·CdCl_2热处理和空气热处理对CdS薄膜晶格振动的影响 | 第42-45页 |
| ·CdS薄膜氧化过程的研究 | 第45-49页 |
| ·CdS薄膜点缺陷的研究和CdS再结晶机理 | 第49-51页 |
| ·具有六方相(002)择优取向的CdS薄膜的研究 | 第51-58页 |
| ·六方相(002)择优取向CdS薄膜的CBD机理及优化过程 | 第51-52页 |
| ·优化后CBD沉积CdS薄膜的实验方法 | 第52-53页 |
| ·优化后CdS薄膜的形貌和结构研究 | 第53-56页 |
| ·优化后CdS薄膜的光学性质研究 | 第56-58页 |
| ·本章总结 | 第58-59页 |
| 第3章 电化学沉积法制备CuInSe_2薄膜及硒化机理研究 | 第59-101页 |
| ·引言 | 第59-61页 |
| ·一步法电化学沉积CuInSe_2预制膜 | 第61-68页 |
| ·电化学沉积CuInSe_2薄膜的机理 | 第61-65页 |
| ·恒电位计时电量法沉积CuInSe_2预制膜 | 第65-66页 |
| ·镀液成分对预制膜成分的影响 | 第66-68页 |
| ·CuInSe_2预制膜的硒化机理研究 | 第68-85页 |
| ·硒化原理和硒化装置 | 第68-70页 |
| ·预制膜成分对硒化后薄膜性质的影响 | 第70-72页 |
| ·衬底温度对硒化后薄膜性质的影响 | 第72-75页 |
| ·Cu-Se二元相和KCN蚀刻的研究 | 第75-80页 |
| ·原位拉曼光谱探测Cu-In-2Se预制膜升温过程中混合相的形成 | 第80-83页 |
| ·硒化升温曲线对薄膜结果的影响 | 第83-84页 |
| ·CIS太阳能电池初步测试 | 第84-85页 |
| ·CuInSe_2薄膜变温拉曼光谱研究 | 第85-90页 |
| ·CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的制备和研究 | 第90-94页 |
| ·电化学沉积CdTe薄膜的研究 | 第94-98页 |
| ·研究背景 | 第94-95页 |
| ·电化学沉积CdTe薄膜的实验方法 | 第95-97页 |
| ·电化学沉积CdTe薄膜的CdCl_2热处理和CdTe太阳能电池制备 | 第97-98页 |
| ·本章总结 | 第98-101页 |
| 第4章 InSe/Cu叠层预制膜硒化制备CuInSe_2机理研究 | 第101-124页 |
| ·引言 | 第101-103页 |
| ·实验方法 | 第103-105页 |
| ·蒸发InSe/Cu叠层预制膜 | 第103-104页 |
| ·InSe/Cu叠层预制膜的硒化和表征 | 第104-105页 |
| ·InSe/Cu叠层预制膜的硒化机理研究 | 第105-114页 |
| ·InSe/Cu叠层预制膜在硒化过程中的形貌演化 | 第105-107页 |
| ·InSe/Cu叠层预制膜在硒化过程中的结构和物相演化 | 第107-112页 |
| ·黄铜矿结构CuInSe_2的化学反应生成路径 | 第112-114页 |
| ·溴-甲醇对CuInSe_2薄膜的蚀刻过程研究 | 第114-118页 |
| ·背电极Mo层的磁控溅射法制备 | 第118-120页 |
| ·窗口层ZnO:Al层的磁控溅射法制备和研究 | 第120-123页 |
| ·本章总结 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第140-141页 |
