| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-16页 |
| 第1章 绪论 | 第16-37页 |
| ·课题背景及研究目的和意义 | 第16-17页 |
| ·场发射材料概述 | 第17-22页 |
| ·场发射的原理 | 第17-19页 |
| ·场发射材料的分类 | 第19-21页 |
| ·场致发射的关键问题 | 第21-22页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第22-25页 |
| ·单壁碳纳米管的基本结构 | 第22-24页 |
| ·多壁碳纳米管的基本结构 | 第24-25页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第25-27页 |
| ·电弧法 | 第25页 |
| ·激光蒸发法 | 第25-26页 |
| ·化学气相沉积法 | 第26页 |
| ·化学气相沉积法生长碳纳米管的机理 | 第26-27页 |
| ·碳纳米管的纯化 | 第27-29页 |
| ·物理法 | 第28页 |
| ·化学法 | 第28-29页 |
| ·碳纳米管的场发射 | 第29-33页 |
| ·碳纳米管场发射的原理 | 第29-30页 |
| ·碳纳米管场致发射性能的评价标准 | 第30-33页 |
| ·碳纳米管场致发射平板显示器阴极材料的制备 | 第33-36页 |
| ·碳纳米管在基底上的原位生长 | 第33-35页 |
| ·碳纳米管FED 阴极的丝网印刷技术 | 第35-36页 |
| ·主要研究内容 | 第36-37页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第37-46页 |
| ·实验原料及所用仪器 | 第37-39页 |
| ·实验原料 | 第37-38页 |
| ·实验仪器 | 第38-39页 |
| ·碳纳米管的制备与表征 | 第39-41页 |
| ·基本的化学气相沉积反应 | 第39页 |
| ·多壁碳纳米管在石英基底上的生长 | 第39-40页 |
| ·使用纳米二氧化硅实现碳纳米管结构可控生长 | 第40页 |
| ·在纳米二氧化硅/碳化聚苯胺复合基底上生长竹节状碳纳米管 | 第40页 |
| ·碳纳米管的表征与分析 | 第40-41页 |
| ·碳纳米管的纯化 | 第41-42页 |
| ·氢氟酸去除Fe 和纳米二氧化硅颗粒 | 第41页 |
| ·空气氧化 | 第41页 |
| ·混酸氧化 | 第41-42页 |
| ·场发射测试系统 | 第42-43页 |
| ·碳纳米管薄膜场发射阴极材料的制备 | 第43-44页 |
| ·碳纳米管/低熔点玻璃复合薄膜的制备与表征 | 第43页 |
| ·碳纳米短管薄膜的制备与表征 | 第43-44页 |
| ·碳化聚苯胺场发射材料的制备与表征 | 第44页 |
| ·碳化聚苯胺的制备 | 第44页 |
| ·碳化聚苯胺的表征 | 第44页 |
| ·碳纳米管在碳化聚苯胺基底上的原位生长 | 第44-46页 |
| ·Fe/SiO_2 催化剂的快速制备 | 第44-45页 |
| ·碳纳米管在碳化聚苯胺基底上的原位生长 | 第45页 |
| ·密集竹节状碳纳米管在nano-SiO_2/GPANI 基底上的原位生长 | 第45-46页 |
| 第3章 多壁碳纳米管的形态控制 | 第46-68页 |
| ·在石英板基底上生长碳纳米管 | 第46-50页 |
| ·以石英板为基底生长CNTs 阵列 | 第46-48页 |
| ·在CNTs 阵列上生长多层CNTs 阵列 | 第48-50页 |
| ·使用纳米二氧化硅实现多壁碳纳米管的控制生长 | 第50-59页 |
| ·使用纳米二氧化硅CVD 法快速制备多壁碳纳米管 | 第51-53页 |
| ·改变噻吩浓度制备竹节状碳纳米管 | 第53-54页 |
| ·碳源注入速度的影响 | 第54-55页 |
| ·纳米二氧化硅的镶嵌状态的影响 | 第55-57页 |
| ·增大纳米二氧化硅镶嵌密度生长纳米碳纤维 | 第57-59页 |
| ·Fe/SiO_2 复合催化剂的快速制备与催化生长碳纳米管 | 第59-63页 |
| ·旋转蒸发-高温还原法制备Fe/SiO_2 催化剂 | 第59-61页 |
| ·CVD 法催化生长碳纳米管 | 第61-63页 |
| ·碳纳米管的生长模式 | 第63-67页 |
| ·石英基底上碳纳米管的生长模式 | 第63-64页 |
| ·使用纳米二氧化硅生长普通结构碳纳米管的模式 | 第64-65页 |
| ·使用纳米二氧化硅生长竹节状碳纳米管的模式 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第4章 碳纳米管的纯化及场发射 | 第68-84页 |
| ·碳纳米管的纯化 | 第68-74页 |
| ·空气氧化 | 第68-71页 |
| ·混酸氧化和官能化 | 第71-74页 |
| ·碳纳米管的场发射 | 第74-78页 |
| ·碳纳米管/低熔点玻璃复合薄膜的制备 | 第74页 |
| ·碳纳米管/低熔点玻璃复合薄膜的场发射 | 第74-75页 |
| ·缺陷分析 | 第75-78页 |
| ·碳纳米短管薄膜制备与场发射性能 | 第78-83页 |
| ·CNTs 短管薄膜的制备与表征 | 第79-81页 |
| ·场发射性能 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第5章 多孔碳化聚苯胺的制备及性能 | 第84-98页 |
| ·碳化聚苯胺的制备 | 第84-85页 |
| ·影响碳化聚苯胺场发射性能的因素 | 第85-91页 |
| ·重复测试的影响 | 第85-86页 |
| ·碳化气体环境的影响 | 第86-88页 |
| ·压片时压强的影响 | 第88页 |
| ·碳化温度的影响 | 第88页 |
| ·碳化时间的影响 | 第88页 |
| ·碳化聚苯胺反应条件的确定 | 第88-91页 |
| ·碳化聚苯胺场发射的来源 | 第91-97页 |
| ·XRD 分析 | 第91-92页 |
| ·SEM 分析 | 第92-94页 |
| ·Raman 分析 | 第94-96页 |
| ·XPS 分析 | 第96-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第6章 CNTs 在 GPANI 和 Nano-SiO2/GPANI 基底的生长及场发射性能 | 第98-114页 |
| ·CNTs 在GPANI 基底上生长及场发射性能 | 第98-103页 |
| ·CNTs 在GPANI 基底上的生长状态 | 第98-100页 |
| ·场发射性能 | 第100-103页 |
| ·CNTs 在Nano-SiO_2/GPANI 复合基底上生长及场发射性能 | 第103-112页 |
| ·Nano-SiO_2/GPANI 复合基底的表征 | 第104-105页 |
| ·CNTs/CNFs 在Nano-SiO_2/GPANI 复合基底上的生长状态 | 第105-109页 |
| ·场发射性能 | 第109-111页 |
| ·CNTs 在SiO_2/GPANI 基底上的图形化生长 | 第111-112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 结论 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-124页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 个人简历 | 第127页 |
