| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-14页 |
| ·微波射频电子技术的发展史 | 第8-10页 |
| ·低噪声放大器在微波射频系统结构中的位置 | 第10页 |
| ·微细加工技术促进微波、射频器件的发展 | 第10页 |
| ·微波、射频SiGe HBT 及其在电路LNA 中的发展 | 第10-11页 |
| ·论文的主要工作 | 第11-13页 |
| ·论文的内容结构 | 第13-14页 |
| 第二章 噪声理论及测量 | 第14-20页 |
| ·电子器件中的噪声 | 第14页 |
| ·噪声的测量 | 第14-18页 |
| ·系统噪声 | 第18-19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 第三章 SiGe HBT 器件设计基础和模型选取 | 第20-32页 |
| ·SiGe HBT 在国际和国内发展状况 | 第20-22页 |
| ·SiGe HBT 器件的基本原理 | 第22-25页 |
| ·SiGe HBT 的纵向结构设计 | 第25-27页 |
| ·SiGe HBT 的横向结构设计 | 第27-29页 |
| ·SiGe HBT 的剖面结构及工艺流程 | 第29页 |
| ·器件模型的选取 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第四章 微波射频低噪声放大器的基本理论 | 第32-42页 |
| ·灵敏度 | 第32页 |
| ·散射参数 | 第32-34页 |
| ·增益及增益平坦度 | 第34-36页 |
| ·动态范围 | 第36页 |
| ·输入输出端口反射损耗 | 第36-37页 |
| ·匹配网路 | 第37-38页 |
| ·噪声 | 第38-39页 |
| ·放大器的稳定性分析 | 第39-40页 |
| ·大信号下的1dB 压缩点和三阶交调 | 第40-42页 |
| 第五章 SiGe HBT 宽带低噪声放大器（LNA）的MMIC 电路设计 | 第42-72页 |
| ·SiGe HBT 晶体管的模型与参数确定 | 第44-46页 |
| ·SiGe HBT LNA 的MMIC 的电路结构设计与分析 | 第46-62页 |
| ·SiGe HBT LNA 的MMIC 的版图设计 | 第62-71页 |
| ·小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| ·研究工作总结 | 第72页 |
| ·对未来工作的思考 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
