半导体存储器设计与实现
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| ·课题背景 | 第8页 |
| ·半导体存储器概述 | 第8-9页 |
| ·先进半导体存储器概述 | 第9-11页 |
| ·挥发性存储器的发展 | 第9-10页 |
| ·不挥发性存储器的发展 | 第10-11页 |
| ·嵌入式存储器的发展 | 第11页 |
| ·本文结构安排 | 第11-13页 |
| 第2章 SRAM和EEPROM存储器的关键技术 | 第13-27页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·SRAM设计的关键技术 | 第14-20页 |
| ·SRAM的存储单元 | 第14-16页 |
| ·SRAM的体系结构 | 第16页 |
| ·SRAM的灵敏放大器 | 第16-20页 |
| ·EEPROM设计的关键技术 | 第20-25页 |
| ·EEPROM存储单元 | 第20-21页 |
| ·EEPROM的整体结构 | 第21-22页 |
| ·EEPROM阵列设计 | 第22-23页 |
| ·优化编程速度和读取时间 | 第23页 |
| ·高压产生电路 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 32KB SRAM设计及仿真建模 | 第27-53页 |
| ·0.35um工艺概述 | 第27-28页 |
| ·32KB SRAM电路设计 | 第28-41页 |
| ·6 管单元尺寸的确定 | 第28-32页 |
| ·SRAM整体结构设计 | 第32-34页 |
| ·读、写电路设计 | 第34-39页 |
| ·SRAM控制电路设计 | 第39-41页 |
| ·SRAM电路仿真建模 | 第41-47页 |
| ·SRAM 仿真建模 | 第41-42页 |
| ·关键路径的选择 | 第42-44页 |
| ·RC网络模型化简 | 第44-45页 |
| ·2kb SRAM仿真验证模型 | 第45-47页 |
| ·32KB SRAM仿真验证 | 第47-52页 |
| ·32KB SRAM功能仿真 | 第47-49页 |
| ·读写时间参数仿真 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 不挥发SRAM设计 | 第53-75页 |
| ·FNV1 电路设计 | 第53-67页 |
| ·整体结构和功能描述 | 第53-56页 |
| ·存储单元IP分析 | 第56-57页 |
| ·关键子模块的设计 | 第57-65页 |
| ·FNV1 版图设计 | 第65-67页 |
| ·FNV1 仿真方案 | 第67页 |
| ·FNV2 电路设计 | 第67-73页 |
| ·FNV2 的整体结构和功能描述 | 第67-68页 |
| ·32KB EEPROM IP仿真 | 第68-70页 |
| ·关键子模块设计 | 第70-73页 |
| ·关键电路的仿真 | 第73页 |
| ·FNV1 和FNV2 的比较 | 第73-75页 |
| 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 附录1 32KB SRAM版图布局 | 第79-80页 |
| 附录2 32KB EEPROM控制信号 | 第80-81页 |
| 附录3 FNV1 整体版图布局 | 第81-82页 |
| 附录4 FNV2 整体版图布局 | 第82-83页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
