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SiC光学材料超精密研抛关键技术研究

摘要第1-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第10-25页
   ·课题的来源及意义第10-14页
     ·课题的来源第10页
     ·课题研究的背景和意义第10-14页
   ·文献综述第14-23页
     ·SiC反射镜的应用现状第14-17页
     ·光学零件超精密加工技术的进展第17-23页
   ·本论文的主要研究内容第23-25页
第二章 SiC材料平面研抛工艺研究第25-55页
   ·平面研抛运动的数学模型第25-32页
     ·工件盘中心的运动轨迹第25-28页
     ·工件盘随动转速的确定第28-30页
     ·研抛轨迹数学模型的建立第30-32页
   ·研抛加工中的平面成形原理第32-40页
     ·工件表面的相对速度及影响因素第32-35页
     ·研抛模表面的速度分布第35-36页
     ·工件盘和研抛模之间的瞬时压强第36-40页
   ·SiC工件的平面研抛工艺实验第40-48页
     ·SiC材料的加工特点第40-41页
     ·SiC工件的上盘方法第41页
     ·SiC工件的研磨加工第41-45页
     ·SiC工件的抛光加工第45-48页
   ·光学零件表面质量的评价方法研究第48-54页
     ·表面波纹度的评价方法及减小措施第48-50页
     ·光学表面的分形特征第50-54页
   ·本章小结第54-55页
第三章 AOCMT光学加工机床的设计第55-63页
   ·AOCMT光学加工机床的设计方法第55-58页
   ·AOCMT光学加工机床的运动精度分析第58-59页
   ·AOCMT光学加工机床的后置处理算法第59-62页
   ·本章小结第62-63页
第四章 计算机控制成形光学非球面的理论研究第63-82页
   ·CCOS的工作原理第63-65页
   ·双转子研抛模的去除函数第65-69页
   ·加工区域的驻留时间算法第69-76页
     ·回转对称表面的驻留时间算法第69-73页
     ·非回转表面的驻留时间算法第73-76页
   ·CCOS加工中面形误差的收敛效率第76-79页
   ·边缘效应的影响及消除措施第79-81页
   ·本章小结第81-82页
第五章 CCOS加工中刀具路径的规划第82-96页
   ·光学表面的非球面度及面形拟合方法第82-85页
     ·光学表面的法向非球面度第82-84页
     ·二次曲面的面形拟合算法第84-85页
   ·CCOS加工中研抛盘尺寸的合理选择第85-90页
     ·吻合状态对研抛盘尺寸选择的要求第85-89页
     ·进给步距对研抛盘尺寸选择的要求第89页
     ·面形误差成分对研抛盘尺寸选择的要求第89-90页
   ·CCOS加工中研抛模运动路径的规划第90-94页
   ·本章小结第94-96页
第六章 磁流变超精密抛光工艺研究第96-114页
   ·磁流液的成分及基本性质第96-99页
     ·磁流液的组成成分第96页
     ·磁流液的稳定性第96-98页
     ·磁流液的链化结构第98-99页
     ·磁流液的连续介质模型第99页
   ·磁流液在磁场中的流变效应第99-101页
     ·磁流液的粘度变化第99-100页
     ·磁流液的屈服应力第100页
     ·磁流液的内部压强第100-101页
   ·磁流变抛光(MRF)的数学模型第101-108页
     ·MRF的原理第101-102页
     ·MRF的数学模型第102-107页
     ·MRF的成核形式第107-108页
   ·工艺参数对磁流变抛光(MRF)的影响第108-113页
     ·MRF装置的结构布局第108-109页
     ·MRF各参数的工作范围第109-110页
     ·工艺参数对MRF的影响第110-113页
   ·本章小结第113-114页
第七章 结论与展望第114-116页
   ·全文总结第114-115页
   ·研究展望第115-116页
致谢第116-117页
作者在攻读博士学位期间发表的论文第117-118页
参考文献第118-124页

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