| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·半导体纳米线的特性和应用 | 第13-16页 |
| ·半导体纳米线的生长机理和生长方法 | 第16-22页 |
| ·半导体纳米线生长机理 | 第16-19页 |
| ·半导体纳米线生长方法 | 第19-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第2章 金属有机化学气相沉积与半导体纳米线表征技术 | 第23-34页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术 | 第24-29页 |
| ·半导体纳米线表征技术 | 第29-34页 |
| ·扫描电子显微镜（Scanning electron microscope，SEM）、透射电子显微镜（Transmission electron microscope，TEM） | 第29-30页 |
| ·X 射线衍射（X-ray diffraction，XRD） | 第30-32页 |
| ·光致发光(Photoluminescence，PL) | 第32页 |
| ·拉曼光谱 | 第32-34页 |
| 第3章 InP 纳米线生长过程的研究 | 第34-46页 |
| ·引言 | 第34-36页 |
| ·实验 | 第36-37页 |
| ·不同生长阶段 InP 纳米线研究 | 第37-45页 |
| ·不同生长阶段 InP 纳米线的扫描电镜研究 | 第37-40页 |
| ·不同生长阶段 InP 纳米线的 X 射线衍射研究 | 第40-41页 |
| ·不同生长阶段 InP 纳米线的光致发光 | 第41-43页 |
| ·不同生长阶段 InP 纳米线的拉曼光谱 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第4章 InP/InGaAs 核壳结构纳米线研究 | 第46-55页 |
| ·引言 | 第46-48页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·InP/InGaAs 核壳结构纳米线的表征研究 | 第49-54页 |
| ·InP/InGaAs 核壳结构纳米线扫描电镜研究 | 第49-51页 |
| ·InP/InGaAs 核壳结构纳米线的 X 射线衍射研究 | 第51-52页 |
| ·InP/InGaAs 核壳结构纳米线的透射电镜研究 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第5章 结论与展望 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| ·研究展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第63-64页 |
| 指导教师及作者简介 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
