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稀土离子4f-5d光谱格位选择效应及发光中心自发辐射寿命的理论研究

摘要第1-10页
Abstract第10-12页
第1章 绪论第12-20页
   ·稀土科技发展的回顾及展望第12-15页
   ·稀土发光材料简介第15-17页
     ·照明和显示材料第15-16页
     ·激光材料第16页
     ·探测材料第16-17页
     ·稀土光学材料的基础研究问题第17页
   ·本论文的研究工作第17-18页
 参考文献第18-20页
第2章 F~-/H~-/DˉC_(4v)电荷补偿的CaF_2:Ce~(3+)和CaF_2:Pr~(3+)f-d单光子跃迁格位选择效应的研究第20-38页
   ·研究背景介绍第20-21页
   ·参数化哈密顿量方法第21-25页
     ·引言第21-22页
     ·4f~(N-1)5d组态的参数化哈密顿及能级拟合计算程序第22-25页
   ·计算结果及分析第25-31页
     ·拟合参数的选取第25-27页
     ·计算结果及标定第27-31页
   ·晶格畸变第31-33页
     ·迭加模型第31-33页
     ·畸变大小的估算第33页
   ·本章小结第33-35页
 参考文献第35-38页
第3章 发光中心的自发辐射寿命第38-52页
   ·光的吸收和辐射第38-39页
   ·真空中的自发辐射寿命第39-41页
   ·自发辐射寿命对介质的依赖第41-46页
     ·虚腔模型第42-44页
     ·实腔模型第44-45页
     ·虚腔模型和实腔模型各自适用情况及模型的统一第45-46页
   ·关于发光中心的自发辐射寿命的研究工作第46-47页
     ·4f-5d单光子跃迁电偶极矩的多体微扰计算第46页
     ·Ewald-Kornfeld求和方法计算电介质中发光中心的局域场效应第46-47页
   ·本章小结第47-48页
 参考文献第48-52页
第四章 多体微扰方法计算镧系离子f-d跃迁电偶极矩第52-70页
   ·背景介绍第52-53页
   ·多体微扰理论简介第53-59页
     ·基本问题回顾第53-54页
     ·Bloch方程及Rayleigh-Schrodinger微扰展开第54-56页
     ·二次量子化及Goldstone图第56-59页
   ·f-d电偶极矩有效算符的一阶展开第59-62页
   ·计算结果及讨论第62-65页
   ·修正因子的分析第65-67页
   ·本章小结第67-68页
 参考文献第68-70页
第五章 介质中局域场效应模型计算:Ewald-Kornfeld晶格求和方法第70-82页
   ·背景介绍第70页
   ·计算原理第70-72页
   ·Ewald-Kornfeld求和方法第72-75页
     ·Ewald求和方法(周期排列点电荷)第72-74页
     ·Kornfeld求和方法(周期排列点电偶极矩)第74-75页
   ·数值结果和分析第75-79页
     ·单个离子取代第77-78页
     ·纳米颗粒取代第78-79页
   ·本章小结第79-81页
 参考文献第81-82页
总结第82-84页
硕博连读期间发表学术论文目录第84-86页
致谢第86页

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