摘要 | 第1-10页 |
Abstract | 第10-12页 |
第1章 绪论 | 第12-20页 |
·稀土科技发展的回顾及展望 | 第12-15页 |
·稀土发光材料简介 | 第15-17页 |
·照明和显示材料 | 第15-16页 |
·激光材料 | 第16页 |
·探测材料 | 第16-17页 |
·稀土光学材料的基础研究问题 | 第17页 |
·本论文的研究工作 | 第17-18页 |
参考文献 | 第18-20页 |
第2章 F~-/H~-/DˉC_(4v)电荷补偿的CaF_2:Ce~(3+)和CaF_2:Pr~(3+)f-d单光子跃迁格位选择效应的研究 | 第20-38页 |
·研究背景介绍 | 第20-21页 |
·参数化哈密顿量方法 | 第21-25页 |
·引言 | 第21-22页 |
·4f~(N-1)5d组态的参数化哈密顿及能级拟合计算程序 | 第22-25页 |
·计算结果及分析 | 第25-31页 |
·拟合参数的选取 | 第25-27页 |
·计算结果及标定 | 第27-31页 |
·晶格畸变 | 第31-33页 |
·迭加模型 | 第31-33页 |
·畸变大小的估算 | 第33页 |
·本章小结 | 第33-35页 |
参考文献 | 第35-38页 |
第3章 发光中心的自发辐射寿命 | 第38-52页 |
·光的吸收和辐射 | 第38-39页 |
·真空中的自发辐射寿命 | 第39-41页 |
·自发辐射寿命对介质的依赖 | 第41-46页 |
·虚腔模型 | 第42-44页 |
·实腔模型 | 第44-45页 |
·虚腔模型和实腔模型各自适用情况及模型的统一 | 第45-46页 |
·关于发光中心的自发辐射寿命的研究工作 | 第46-47页 |
·4f-5d单光子跃迁电偶极矩的多体微扰计算 | 第46页 |
·Ewald-Kornfeld求和方法计算电介质中发光中心的局域场效应 | 第46-47页 |
·本章小结 | 第47-48页 |
参考文献 | 第48-52页 |
第四章 多体微扰方法计算镧系离子f-d跃迁电偶极矩 | 第52-70页 |
·背景介绍 | 第52-53页 |
·多体微扰理论简介 | 第53-59页 |
·基本问题回顾 | 第53-54页 |
·Bloch方程及Rayleigh-Schrodinger微扰展开 | 第54-56页 |
·二次量子化及Goldstone图 | 第56-59页 |
·f-d电偶极矩有效算符的一阶展开 | 第59-62页 |
·计算结果及讨论 | 第62-65页 |
·修正因子的分析 | 第65-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-70页 |
第五章 介质中局域场效应模型计算:Ewald-Kornfeld晶格求和方法 | 第70-82页 |
·背景介绍 | 第70页 |
·计算原理 | 第70-72页 |
·Ewald-Kornfeld求和方法 | 第72-75页 |
·Ewald求和方法(周期排列点电荷) | 第72-74页 |
·Kornfeld求和方法(周期排列点电偶极矩) | 第74-75页 |
·数值结果和分析 | 第75-79页 |
·单个离子取代 | 第77-78页 |
·纳米颗粒取代 | 第78-79页 |
·本章小结 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-82页 |
总结 | 第82-84页 |
硕博连读期间发表学术论文目录 | 第84-86页 |
致谢 | 第86页 |