摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 引言 | 第6-15页 |
§1.1 电子束离子阱(EBIT)装置及其中发生的物理过程的简单介 | 第6-13页 |
·EBIT装置简单介绍 | 第6-7页 |
·EBIT势阱中发生的物理过程 | 第7-13页 |
§1.2 本论文工作的背景和目的 | 第13-15页 |
·本论文背景 | 第13-14页 |
·本论文目的 | 第14-15页 |
第二章 EBIT势阱中离子引出演化的模拟 | 第15-26页 |
§2.1 模拟EBIT势阱中高电荷态离子连续引出强度分布的理论模型 | 第15-16页 |
§2.2 EBIT势阱中离子连续引出的模拟结果 | 第16-22页 |
§2.3 讨论 | 第22-25页 |
§2.4 结语 | 第25-26页 |
第三章 离子引出理论模拟结果在离子DR强度测量中的应用 | 第26-49页 |
§3.1 DR过程的介绍 | 第26-28页 |
§3.2 EBIT势阱中相邻电荷态离子密度比和引出离子强度比的模拟结果 | 第28-37页 |
§3.3 EBIT势阱中相邻电荷态离子密度比和引出离子强度比差异的讨论 | 第37-46页 |
§3.4 F factor对EBIT势阱中离子连续引出测量DR强度的修正 | 第46-48页 |
§3.5 结语 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-51页 |
附录 硕士期间发表论文及摘要 | 第51-52页 |
致谢 | 第52-53页 |