| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·纳米材料的分类 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第14-16页 |
| ·小尺寸效应 | 第14页 |
| ·表面效应 | 第14-15页 |
| ·量子尺寸效应 | 第15页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第15-16页 |
| ·库伦堵塞与量子隧穿 | 第16页 |
| ·介电限域效应 | 第16页 |
| ·纳米材料的表征 | 第16-17页 |
| ·形貌分析 | 第16-17页 |
| ·成分分析 | 第17页 |
| ·物性分析 | 第17页 |
| ·准一维纳米材料的制备方法 | 第17-20页 |
| ·气相法 | 第18页 |
| ·液相法 | 第18-20页 |
| ·模板法 | 第20页 |
| ·用热蒸发方法制备一维纳米材料时各种实验条件对产物形貌的影响 | 第20-25页 |
| ·沉积温度对产物形貌的影响 | 第20-22页 |
| ·载流气对产物形貌的影响 | 第22-23页 |
| ·催化剂对产物形貌的影响 | 第23-24页 |
| ·衬底对产物形貌的影响 | 第24页 |
| ·保温时间对产物形貌的影响 | 第24-25页 |
| ·准一维纳米材料发展概况和特性与应用 | 第25-27页 |
| ·准一维纳米材料的发展概况 | 第25页 |
| ·准一维纳米材料的特性与应用 | 第25-27页 |
| ·本章结语 | 第27-28页 |
| 第二章 实验装置、原理和操作规程 | 第28-31页 |
| ·实验装置简介 | 第28-29页 |
| ·实验设备简介 | 第28页 |
| ·实验装置示意图 | 第28-29页 |
| ·实验原理 | 第29页 |
| ·实验操作规程 | 第29-31页 |
| 第三章 GeO_2纳米线阵列的自催化生长与发光性能研究 | 第31-41页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验过程 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-40页 |
| ·GeO_2纳米线阵列的形貌 | 第32-33页 |
| ·GeO_2纳米线阵列的结构与成分 | 第33-35页 |
| ·GeO_2纳米线阵列的生长机制 | 第35-37页 |
| ·GeO_2纳米线阵列的光致发光性能 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 三元化合物In_2Ge_2O_7纳米带的合成、表征与发光性能研究 | 第41-50页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·实验过程 | 第42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-48页 |
| ·In_2Ge_2O_7纳米带的形貌 | 第42-43页 |
| ·In_2Ge_2O_7纳米带的结构与成分 | 第43-45页 |
| ·In_2Ge_2O_7纳米带的生长机制 | 第45页 |
| ·不同实验条件下得到的产物形貌图对比 | 第45-47页 |
| ·In_2Ge_2O_7纳米带的光致发光性能 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 链球状In_2Ge_2O_7芯/非晶GeO_2壳纳米电缆的合成和发光特性 | 第50-57页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验过程 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-55页 |
| ·链球状In_2Ge_2O_7芯/非晶GeO_2壳纳米电缆的形貌 | 第51-52页 |
| ·链球状In_2Ge_2O_7芯/非晶GeO_2壳纳米电缆的结构与成分 | 第52-54页 |
| ·链球状In_2Ge_2O_7芯/非晶GeO_2壳纳米电缆的生长机制 | 第54页 |
| ·链球状In_2Ge_2O_7芯/非晶GeO_2壳纳米电缆的光致发光性能 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 全文总结 | 第57-58页 |
| 1.GeO_2纳米线阵列的合成、表征、生长机制和发光特性的研究 | 第57页 |
| 2.三元化合物In_2Ge_2O_7纳米带的合成和光致发光性能 | 第57页 |
| 3.链球状In_2Ge_2O_7芯/非晶GeO_2壳纳米电缆的合成和发光特性 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第66页 |
