| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-12页 |
| ·理论模型 | 第8-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 横向随机晶场ISING 模型的相图和磁化行为研究 | 第12-24页 |
| ·理论推导 | 第12-15页 |
| ·对于二维方格子的结果讨论 | 第15-20页 |
| ·对于三维简立方格子的结果讨论 | 第20-23页 |
| ·结论 | 第23-24页 |
| 第三章 双轴晶场ISING 模型的临界性质 | 第24-40页 |
| ·理论推导 | 第24-27页 |
| ·横向晶场稀疏双轴ISING 模型的结果和讨论 | 第27-33页 |
| ·双轴晶场稀疏ISING 模型的结果和讨论 | 第33-38页 |
| ·结论 | 第38-40页 |
| 结束语 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |