高性能声表面波器件AlN/Diamond基片制备及分析
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·研究背景及意义 | 第9页 |
| ·声表面波技术简介 | 第9-15页 |
| ·声表面波器件的发展及应用 | 第9-12页 |
| ·声表面波器件的特点 | 第12-13页 |
| ·压电薄膜/金刚石高频SAWF的原理和结构 | 第13-15页 |
| ·AlN/Diamond 结构研究进展 | 第15-17页 |
| ·计算机模拟薄膜生长简介 | 第17-18页 |
| ·本文研究目的和内容 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜生长原理及计算机模拟 | 第20-28页 |
| ·薄膜生长原理 | 第20-22页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·临界核形成 | 第20-21页 |
| ·岛的长大与结合 | 第21-22页 |
| ·迷津结构的形成 | 第22页 |
| ·连续膜的形成 | 第22页 |
| ·薄膜生长模型 | 第22-24页 |
| ·蒙特卡罗方法简介 | 第22页 |
| ·建立模拟模型 | 第22-24页 |
| ·模拟结果及分析 | 第24-27页 |
| ·温度对薄膜生长影响 | 第25-26页 |
| ·沉积时间对薄膜生长影响 | 第26-27页 |
| ·本章小节 | 第27-28页 |
| 第三章 氮化铝薄膜的性质及制备方法 | 第28-38页 |
| ·AlN 薄膜材料 | 第28-30页 |
| ·AlN 薄膜制备技术 | 第30-34页 |
| ·溅射原理 | 第31-32页 |
| ·射频溅射 | 第32-33页 |
| ·磁控溅射 | 第33-34页 |
| ·薄膜的测试分析手段 | 第34-38页 |
| ·X射线衍射（XRD） | 第34-36页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第36页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第36-38页 |
| 第四章 氮化铝薄膜的制备及表征 | 第38-51页 |
| ·金刚石衬底性能 | 第38-42页 |
| ·金刚石的基本结构 | 第38-40页 |
| ·金刚石衬底的测试表征 | 第40-42页 |
| ·实验设备及工艺 | 第42-43页 |
| ·衬底清洗 | 第42页 |
| ·实验设备 | 第42-43页 |
| ·硅基AlN薄膜制备及取向研究 | 第43-45页 |
| ·工艺参数对金刚石衬底AlN薄膜取向影响 | 第45-49页 |
| ·溅射功率对AlN薄膜取向的影响 | 第45-46页 |
| ·工作气压对AlN薄膜取向的影响 | 第46-47页 |
| ·衬底温度对AlN薄膜取向的影响 | 第47-48页 |
| ·退火工艺对AlN薄膜取向的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小节 | 第49-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 发表论文及参与科研 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
