摘要 | 第1-11页 |
Abstract | 第11-14页 |
引言 | 第14-15页 |
第一部分 原子蒸汽中的相干与非线性现象 | 第15-84页 |
第一章 基本理论与实验技术 | 第16-49页 |
·光学泵浦 | 第16-24页 |
·光学泵浦的基本原理 | 第16-19页 |
·原子弛豫的机制与测量 | 第19-21页 |
·原子弛豫速率的测量 | 第21-24页 |
·受激拉曼绝热通道 | 第24-29页 |
·受激拉曼绝热通道的基本原理 | 第24-26页 |
·绝热跟随的条件 | 第26-27页 |
·受激拉曼绝热通道的实现 | 第27-28页 |
·叠加态的制备-受激拉曼绝热通道的推广 | 第28-29页 |
·电磁感应透明及其他介质中的相干现象 | 第29-43页 |
·EIT基本理论 | 第29-36页 |
·光场在电磁感应透明介质中的传播 | 第36-39页 |
·光的完全停止—光存储 | 第39-41页 |
·相干增强的非线性光学 | 第41-43页 |
·奇异光学-光的轨道角动量 | 第43-49页 |
·光学漩涡—拉盖尔-高斯模 | 第43-46页 |
·柱坐标和直角坐标—LG模与HG模 | 第46页 |
·LG模光的产生和性质 | 第46-49页 |
第二章 实验及理论工作 | 第49-84页 |
·热原子蒸汽中的双光子吸收 | 第49-54页 |
·实验装置及结果 | 第49-51页 |
·理论分析 | 第51-54页 |
·光泵辅助的电磁感应透明 | 第54-60页 |
·实验装置及结果 | 第54-56页 |
·理论分析 | 第56-59页 |
·小结 | 第59-60页 |
·无相干转移的电磁感应吸收 | 第60-66页 |
·实验装置和结果 | 第60-66页 |
·电磁感应透明介质中的带隙孤子 | 第66-72页 |
·光学泵浦对近简并四波混频的影响 | 第72-78页 |
·实验装置及结果 | 第72-74页 |
·理论分析 | 第74-78页 |
·利用非简并四波混频过程实现光学漩涡轨道角动量的合成 | 第78-84页 |
·实验装置及结果 | 第79-84页 |
第二部分 外腔半导体激光器-理论和应用 | 第84-161页 |
第三章 外腔半导体激光器的基本原理 | 第87-110页 |
·激光二极管的一般性质 | 第87-93页 |
·纵模特性 | 第88-89页 |
·横模特性 | 第89-90页 |
·电流特性 | 第90-91页 |
·温度特性 | 第91-92页 |
·影响半导体激光稳定性的因素 | 第92-93页 |
·外腔反馈 | 第93-110页 |
·AR Coating | 第97-98页 |
·外腔和内腔的联合模式选择 | 第98页 |
·频率选择元件-衍射光栅 | 第98-106页 |
·光栅外腔反馈激光器的线宽 | 第106-107页 |
·典型的设计 | 第107页 |
·进一步的提高不跳模的调谐范尉—电流反馈 | 第107-110页 |
第四章 外腔半导体激光器的电流和温度控制 | 第110-113页 |
·精密电流源 | 第110页 |
·温度控制器 | 第110-113页 |
第五章 外腔半导体激光器的稳频 | 第113-138页 |
·基本原理 | 第113-125页 |
·锁边 | 第113-115页 |
·锁峰 | 第115-125页 |
·饱和吸收光谱 | 第125-129页 |
·Dichroic-Atomic-Vapor Laser Lock(DAVLL) | 第129-132页 |
·原子的磁光效应 | 第129-130页 |
·原子的偏振光谱和DAVLL | 第130-132页 |
·基于固体F-P标准具的激光锁频 | 第132-133页 |
·光学锁相环(OPLL) | 第133-138页 |
·锁相环的基本原理 | 第133-136页 |
·光学锁相环(OPLL) | 第136-138页 |
第六章 外腔半导体激光器的频率调谐 | 第138-148页 |
·直接调谐 | 第138-143页 |
·利用光栅扫频 | 第138页 |
·直接调制激光二极管的电流 | 第138-140页 |
·在腔内插入声光或电光元件控制扫频 | 第140-143页 |
·利用声光或电光调制器对激光进行调制 | 第143-148页 |
·声光调制器 | 第143-147页 |
·电光调制器 | 第147-148页 |
第七章 外腔半导体激光器的设计、制作与测试 | 第148-161页 |
·外腔部分的设计 | 第149页 |
·电流源与温控及PZT的驱动 | 第149-153页 |
·激光器的锁频 | 第153-155页 |
·DAVLL | 第153页 |
·固体标准具 | 第153-155页 |
·自制激光器的性能 | 第155页 |
·需要注意的事项 | 第155-156页 |
·一些新的技术 | 第156-161页 |
·MEMS技术的应用—高度的集成化 | 第156-157页 |
·高激光功率的获得 | 第157-161页 |
结语 | 第161-162页 |
参考文献 | 第162-171页 |
致谢 | 第171-172页 |
读博期间论文发表情况 | 第172页 |