| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·课题背景 | 第11-12页 |
| ·外延生长技术的研究与发展现状 | 第12-17页 |
| ·外延生长技术的基本介绍 | 第12-15页 |
| ·MOCVD的基本原理及其基本工艺流程 | 第15-17页 |
| ·选择性区域外延生长的应用情况 | 第17-18页 |
| ·新型材料特性的理论分析的发展现状 | 第18页 |
| ·论文研究内容及其论文结构 | 第18-20页 |
| ·论文研究内容 | 第19页 |
| ·论文结构 | 第19-20页 |
| 第二章 选择性区域外延生长—SAE | 第20-29页 |
| ·工艺途径 | 第20-21页 |
| ·掩膜图形衬底上的SAE | 第20-21页 |
| ·某种晶面和缺陷上的SAE | 第21页 |
| ·特定构型衬底上的SAE | 第21页 |
| ·精细束加工的SAE | 第21页 |
| ·InP衬底的选择区域外延生长的建模和分析 | 第21-26页 |
| ·表面迁移模型的建模和分析 | 第22-25页 |
| ·气相扩散模型的建模和分析 | 第25-26页 |
| ·数据和结果的讨论 | 第26-28页 |
| ·结论 | 第28-29页 |
| 第三章 二元系材料T1P和三元系材料In_xGa_(1-x)N的能带结构和晶格常数的理论分析 | 第29-44页 |
| ·Materials Studio模块—CASTEP的基本原理 | 第29-33页 |
| ·密度泛函理论 | 第29-31页 |
| ·基矢修正的收敛 | 第31-33页 |
| ·赝势近似 | 第33页 |
| ·二元系材料T1P的能带结构和晶格常数的理论分析 | 第33-37页 |
| ·计算方法 | 第34页 |
| ·模拟结果 | 第34-37页 |
| ·结论 | 第37页 |
| ·三元系材料In_xGa_(1-x)N的能带结构和Bowing常数的理论分析 | 第37-44页 |
| ·倒易晶格原胞与基底变换 | 第38-40页 |
| ·布里渊区的高对称点 | 第38-39页 |
| ·格子原胞基底与倒格子原胞基底变换的过渡矩阵 | 第39-40页 |
| ·正格矢与倒格矢在基底中的变换 | 第40页 |
| ·计算方法 | 第40-41页 |
| ·模拟结果 | 第41-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 第四章 InP／In_(0.53)Ga_(0.47)As／InP在GaAs衬底上的异质外延晶片生长过程和质量分析 | 第44-52页 |
| ·半导体异质外延晶片材料质量评估的意义 | 第44页 |
| ·外延晶片质量的检测方法 | 第44-46页 |
| ·化学检测方法 | 第44-45页 |
| ·物理检测方法 | 第45-46页 |
| ·光致发光谱 | 第45-46页 |
| ·X射线双晶衍射 | 第46页 |
| ·InP／In_(0.53)Ga_(0.47)As／InP InP在GaAs衬底上的异质外延晶片生长实验过程和质量分析 | 第46-52页 |
| ·实验过程 | 第46-47页 |
| ·实验数据和分析 | 第47-51页 |
| ·结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第58页 |
