| 第一章 绪论 | 第1-31页 |
| ·纳米材料的新效应 | 第12-16页 |
| ·量子尺寸效应 | 第13-14页 |
| ·量子相干效应 | 第14-16页 |
| ·量子霍耳效应 | 第16页 |
| ·纳米半导体材料 | 第16-20页 |
| ·纳米半导体材料的特性 | 第17-18页 |
| ·纳米半导体材料的主要研究内容 | 第18-20页 |
| ·纳米半导体材料的制备 | 第20-27页 |
| ·水热法 | 第20页 |
| ·激光诱导化学汽相沉积 | 第20-21页 |
| ·激光烧蚀 | 第21页 |
| ·相分离自组织 | 第21-22页 |
| ·应变自组织制备量子点 | 第22-23页 |
| ·分子束外延 | 第23-24页 |
| ·金属有机化合物化学汽相沉积 | 第24-25页 |
| ·单原子操纵和加工技术 | 第25-26页 |
| ·精细加工制备技术 | 第26页 |
| ·厚膜模板法 | 第26-27页 |
| ·本论文的指导思想和研究内容 | 第27页 |
| 本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第二章 多孔阳极氧化铝模板的制备 | 第31-44页 |
| ·厚膜模板法 | 第31-35页 |
| ·厚膜模板法概述 | 第31-32页 |
| ·AAO模板的制备过程 | 第32-35页 |
| ·影响氧化铝模板制备的三要素 | 第35-39页 |
| ·氧化电压的影响 | 第35-37页 |
| ·氧化时间的影响 | 第37-38页 |
| ·氧化温度的影响 | 第38-39页 |
| ·其他条件对模板的影响 | 第39页 |
| ·基于温度的二次氧化 | 第39-41页 |
| ·传统二次氧化法 | 第40页 |
| ·基于温度的二次氧化法制备模板的原理 | 第40-41页 |
| ·基于温度的二次氧化法 | 第41页 |
| 本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 利用 AAO制备Si纳米晶阵列与表征手段 | 第44-54页 |
| ·Si 纳米晶阵列的制备 | 第45-48页 |
| ·AAO模板的制备 | 第45-46页 |
| ·Si 纳米晶阵列的PECVD制备 | 第46-48页 |
| ·Si 纳米晶阵列的表征方法 | 第48-51页 |
| ·透射电子显微镜分析 | 第49页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第49页 |
| ·X射线衍射分析 | 第49-50页 |
| ·喇曼光谱分析 | 第50页 |
| ·红外吸收谱分析 | 第50-51页 |
| 本章小结 | 第51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 第四章 Si纳米晶阵列的结构与形貌 | 第54-64页 |
| ·X射线衍射谱分析 | 第54-55页 |
| ·红外吸收谱研究 | 第55-57页 |
| ·扫描电子显微镜观察 | 第57-59页 |
| ·透射电子显微镜观察 | 第59页 |
| ·Si纳米晶阵列生长机理 | 第59-62页 |
| 本章小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 Si纳米晶阵列的光学、电学性质 | 第64-84页 |
| ·Si纳米晶阵列发光性质研究 | 第64-72页 |
| ·半导体材料发光类型及发光机理 | 第64-65页 |
| ·Si发光面临的问题 | 第65-66页 |
| ·实现Si发光的两种方案 | 第66-69页 |
| ·Si纳米晶阵列的光致发光 | 第69-72页 |
| ·Si纳米晶阵列场发射研究 | 第72-75页 |
| ·场发射研究现状 | 第72-73页 |
| ·场发射理论 | 第73-75页 |
| (一)三种场发射理论 | 第73页 |
| (二)F-N理论 | 第73-74页 |
| (三)场发射特性测试 | 第74-75页 |
| ·Si纳米晶阵列电学性质的研究 | 第75-80页 |
| ·Si薄膜的直流电导特性 | 第75-78页 |
| ·薄膜样品电阻率测试中的问题 | 第78-79页 |
| ·Si纳米晶阵列的电导率测试与分析 | 第79-80页 |
| 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第六章 利用 AAO模板制备 Si_(1-x)Ge_x纳米晶阵列及其性质 | 第84-99页 |
| ·SiGe异质结构材料基本性质 | 第84-88页 |
| ·晶格常数 | 第84-85页 |
| ·晶格失配率 | 第85页 |
| ·应变 | 第85-86页 |
| ·载流子有效质量 | 第86页 |
| ·折射率 | 第86-87页 |
| ·电子迁移率 | 第87-88页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x纳米晶阵列的制备与表征 | 第88-91页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x纳米晶阵列的PECVD制备 | 第88-89页 |
| ·能量色散谱分析 | 第89-90页 |
| ·透射电子显微镜观察 | 第90页 |
| ·X射线衍射分析 | 第90-91页 |
| ·Raman光谱分析 | 第91页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x纳米晶阵列的光学、电学性质 | 第91-96页 |
| ·光致发光谱 | 第92-94页 |
| ·电导率测量 | 第94-96页 |
| 本章小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第七章 总结与展望 | 第99-101页 |
| ·本论文工作的主要结论 | 第99-100页 |
| ·下一步工作展望 | 第100-101页 |
| 博士期间发表文章 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
