CMOS低压差稳压器设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 CMOS低压差稳压器的原理及主要特性 | 第11-21页 |
| ·电路结构与工作原理 | 第11页 |
| ·主要特性分析 | 第11-21页 |
| ·脱落电压 | 第11-14页 |
| ·静态电流 | 第14-15页 |
| ·LDO稳压器的拓朴结构 | 第15-16页 |
| ·效率 | 第16页 |
| ·负载调整率 | 第16-17页 |
| ·线性调整率 | 第17-19页 |
| ·输出电压精度 | 第19-21页 |
| 2 芯片的解剖 | 第21-24页 |
| ·测试 | 第21-22页 |
| ·去除封装 | 第22页 |
| ·刻蚀Si_3N_4 | 第22页 |
| ·去除铝层 | 第22-23页 |
| ·去除多晶层 | 第23页 |
| ·染色 | 第23-24页 |
| 3 电路提取 | 第24-31页 |
| ·拼图 | 第24页 |
| ·提取线路图前的准备 | 第24-25页 |
| ·压焊块的确认 | 第24页 |
| ·确认管型 | 第24-25页 |
| ·划分功能块 | 第25页 |
| ·提取线路图 | 第25-31页 |
| ·压焊块与静电放电保护 | 第25-26页 |
| ·电源控制电路的提取 | 第26-27页 |
| ·基准电路的提取 | 第27-28页 |
| ·误差放大电路 | 第28-29页 |
| ·调整管 | 第29-31页 |
| 4 电路分析 | 第31-53页 |
| ·电源控制电路 | 第31-38页 |
| ·M75管的作用 | 第32-35页 |
| ·反相器链的设计 | 第35-38页 |
| ·仿真结果 | 第38页 |
| ·电压基准电路 | 第38-44页 |
| ·电路工作原理 | 第38-39页 |
| ·温度特性 | 第39-41页 |
| ·计算 | 第41-42页 |
| ·仿真结果 | 第42-44页 |
| ·误差放大器和输出调整管 | 第44-48页 |
| ·框图 | 第45-46页 |
| ·计算 | 第46-48页 |
| ·仿真 | 第48页 |
| ·短路保护电路 | 第48-49页 |
| ·整体电路仿真 | 第49-53页 |
| ·脱落电压 | 第49-50页 |
| ·静态电流 | 第50页 |
| ·效率 | 第50页 |
| ·负载调整率 | 第50-51页 |
| ·线性调整率 | 第51页 |
| ·温度系数 | 第51-52页 |
| ·输出电压精度 | 第52-53页 |
| 5 芯片可能的工艺过程 | 第53-57页 |
| ·材料的选择 | 第53页 |
| ·外延 | 第53页 |
| ·n阱扩散 | 第53页 |
| ·场氧化 | 第53-54页 |
| ·栅氧化和多晶硅栅 | 第54页 |
| ·有源区注入 | 第54-55页 |
| ·接触孔 | 第55页 |
| ·钝化 | 第55-57页 |
| 6 版图设计 | 第57-60页 |
| ·版图中的特殊设计 | 第57-58页 |
| ·调整管的设计 | 第57页 |
| ·多晶硅电阻上覆盖金属的作用 | 第57-58页 |
| ·防沾污措施 | 第58页 |
| ·版图设计规则 | 第58-60页 |
| 7 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录A 总电路图 | 第64-65页 |
| 在学研究成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
