| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·相变存储器的写、擦和读操作 | 第13-15页 |
| ·用于相变存储器的材料的特性要求 | 第15-16页 |
| ·相变材料研究历史 | 第16-20页 |
| ·SbTe合金和GeSbTe合金的特性 | 第20-22页 |
| ·相变存储器的基本特性和问题 | 第22-28页 |
| ·相交存储器的基本特性 | 第22-25页 |
| ·相变存储器中的问题 | 第25-28页 |
| ·本论文的研究目的及内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第二章 Ge_2Sb_2Te_5材料结构和电学性能 | 第31-51页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·样品的制备 | 第32-34页 |
| ·ICP分析 | 第34页 |
| ·退火温度对电阻率的影响 | 第34-35页 |
| ·XRD分析 | 第35-37页 |
| ·Raman分析 | 第37-39页 |
| ·膜厚对晶体结构的影响 | 第39-40页 |
| ·膜厚对薄膜电性能的影响 | 第40-42页 |
| ·相变存储器单元的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第42-45页 |
| ·分析与讨论 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 参考文献: | 第50-51页 |
| 第三章 N和Si掺杂的Ge_2Sb_2Te_5的热稳定性研究 | 第51-78页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·掺N对Ge_2Sb_2Te_5薄膜结构和电性能影响 | 第51-56页 |
| ·样品的制备 | 第51页 |
| ·测试结果 | 第51-55页 |
| ·分析与讨论 | 第55-56页 |
| ·掺Si对Ge_2Sb_2Te_5薄膜结构和电性能影响 | 第56-59页 |
| ·样品的制备 | 第56-57页 |
| ·测试结果 | 第57-58页 |
| ·分析与讨论 | 第58-59页 |
| ·掺Si,N对Ge_2Sb_2Te_5薄膜热稳定性的影响 | 第59-75页 |
| ·样品的制备 | 第59页 |
| ·电学测量 | 第59-63页 |
| ·DSC测量 | 第63-64页 |
| ·SEM观察 | 第64-68页 |
| ·Raman谱 | 第68-71页 |
| ·XPS测试 | 第71-75页 |
| ·分析与讨论 | 第75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 第四章 薄膜厚度对Ge_2Sb_2Te_5热稳定性的影响 | 第78-90页 |
| ·引言 | 第78-80页 |
| ·样品的制备 | 第80页 |
| ·膜厚对Ge_2Sb_2Te_5薄膜结晶温度的影响 | 第80-81页 |
| ·膜厚对Ge_2Sb_2Te_5薄膜结晶孕育时间的影响 | 第81-85页 |
| ·分析与讨论 | 第85-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献: | 第89-90页 |
| 第五章 相变存储器热学特性模拟 | 第90-107页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·PCRAM热学模型 | 第91-95页 |
| ·尺寸和GST材料对I_(reset)影响 | 第95-99页 |
| ·GST厚度对I_(reset)影响 | 第95-96页 |
| ·电极尺寸对I_(reset)影响 | 第96-98页 |
| ·GST电阻率对I_(reset)影响 | 第98-99页 |
| ·加热层对I_(reset)影响 | 第99-104页 |
| ·加热层电阻率对I_(reset)影响 | 第101-102页 |
| ·加热层热传导系数对I_(reset)影响 | 第102-103页 |
| ·加热层比热对I_(reset)影响 | 第103-104页 |
| ·参数优化的例子 | 第104-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 参考文献: | 第106-107页 |
| 第六章 边接触结构相变存储器的制备 | 第107-129页 |
| ·引言 | 第107-108页 |
| ·器件参数与版图 | 第108-109页 |
| ·PCRAM器件工艺流程 | 第109-113页 |
| ·PCRAM器件制备工艺 | 第113-124页 |
| ·清洗 | 第113-114页 |
| ·介质层 | 第114页 |
| ·光刻 | 第114页 |
| ·薄膜沉积 | 第114页 |
| ·薄膜粘附性问题 | 第114-119页 |
| ·下电极刻蚀问题 | 第119-124页 |
| ·PCRAM器件测试结果与分析 | 第124-127页 |
| ·DCI—V曲线 | 第125页 |
| ·阀值电压V_(th) | 第125-126页 |
| ·RESET电流 | 第126-127页 |
| ·本章小结 | 第127-128页 |
| 参考文献: | 第128-129页 |
| 第七章 总结 | 第129-132页 |
| 博士期间论文与会议一览 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
