1.55μm高速激光器材料结构设计及外延生长
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| 1-1 引言 | 第8-10页 |
| 1-2 主要研究内容和方法 | 第10-11页 |
| 第二章 高速半导体激光器结构设计和计算机模拟 | 第11-34页 |
| 2-1 结构设计思路 | 第11页 |
| 2-2 材料选择 | 第11-12页 |
| 2-3 应变多量子阱激光器的波长设计 | 第12-17页 |
| 2-3-1 应变量子阱介绍 | 第12-13页 |
| 2-3-2 应变量计算 | 第13-15页 |
| 2-3-3 应变多量子阱子能级计算 | 第15-17页 |
| 2-4 有源区优化设计 | 第17-19页 |
| 2-5 波导设计 | 第19-23页 |
| 2-5-1 光波导理论介绍 | 第19页 |
| 2-5-2 波导计算模型 | 第19-21页 |
| 2-5-3 计算分析 | 第21-23页 |
| 2-6 全结构模拟 | 第23-33页 |
| 2-6-1 模拟软件介绍 | 第24-25页 |
| 2-6-2 模拟结果及分析 | 第25-33页 |
| 2-7 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 高速半导体激光器MOCVD外延试验 | 第34-47页 |
| 3-1 MOCVD技术 | 第34-37页 |
| 3-1-1 MOCVD介绍 | 第34页 |
| 3-1-2 生长机理 | 第34-36页 |
| 3-1-3 MOCVD设备介绍 | 第36-37页 |
| 3-2 外延试验 | 第37-46页 |
| 3-2-1 外延基本结构参数 | 第37页 |
| 3-2-2 外延试验中的问题 | 第37-40页 |
| 3-2-3 外延测试技术介绍 | 第40-41页 |
| 3-2-4 单层材料外延试验 | 第41-43页 |
| 3-2-5 掺杂试验 | 第43-45页 |
| 3-2-6 全结构外延 | 第45-46页 |
| 3-3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 器件后续工艺及制作 | 第47-51页 |
| 4-1 工艺流程设计 | 第47页 |
| 4-2 重点工艺介绍 | 第47-50页 |
| 4-2-1 化学动力减薄 | 第47-48页 |
| 4-2-2 烧结、压焊 | 第48页 |
| 4-2-3 组建组装 | 第48-49页 |
| 4-2-4 电极设计 | 第49页 |
| 4-2-5 脊形设计 | 第49-50页 |
| 4-3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 器件特性及分析 | 第51-55页 |
| 5-1 光电特性分析 | 第51-52页 |
| 5-2 调制特性分析 | 第52-54页 |
| 5-2-1 面电极结构测试 | 第52-53页 |
| 5-2-2 点电极结构测试 | 第53-54页 |
| 5-3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第60页 |
