| 摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章：引言 | 第10-25页 |
| 第一节 半导体低维结构的基本原理、制备和研究进展 | 第10-14页 |
| ·半导体低维结构的基本原理 | 第10-13页 |
| ·各种低维结构的制备和研究进展 | 第13-14页 |
| 第二节 Ⅱ—Ⅵ族半导体低维结构及其复合结构的研究进展 | 第14-20页 |
| ·利用Ⅱ—Ⅵ材料低维结构制备蓝／蓝绿色半导体激光器 | 第15-16页 |
| ·Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体的光学双稳态 | 第16-18页 |
| ·宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体低维结构的量子隧穿 | 第18-20页 |
| 第三节 本文的立论依据及内容安排 | 第20-25页 |
| 第二章：半导体低维结构主要制备方法及表征手段 | 第25-39页 |
| 第一节 主要制备方法 | 第25-29页 |
| ·分子束外延技术(MBE) | 第25-26页 |
| ·金属有机化学气相淀积(MOCVD) | 第26-29页 |
| 第二节 半导体低维结构的表征手段 | 第29-39页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第29-31页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第31-33页 |
| ·X射线衍射谱 | 第33-34页 |
| ·光致发光谱 | 第34-37页 |
| ·时间分辨光谱 | 第37-39页 |
| 第三章：CdZnTe三元合金半导体的生长和光学性质 | 第39-52页 |
| 第一节 Cd_xZn_(1-x)Te半导体合金生长的研究进展 | 第39-41页 |
| 第二节 CdZnTe合金薄膜的生长及其表征 | 第41-49页 |
| ·CdZnTe合金薄膜的生长 | 第41-42页 |
| ·CdZnTe合金薄膜的表征 | 第42-45页 |
| ·CdZnTe合金薄膜的生长动力学分析 | 第45-49页 |
| 小结 | 第49-52页 |
| 第四章：CdZnTe复合量子阱的隧穿 | 第52-69页 |
| 第一节 载流子隧穿的研究进展 | 第52-59页 |
| ·载流子隧穿的基本性质 | 第52-53页 |
| ·非对称双量子阱中的隧穿 | 第53-58页 |
| ·CdZnTe复合量子阱的设计思想 | 第58-59页 |
| 第二节 泵浦探测测量系统和原理 | 第59-62页 |
| ·激光系统 | 第59-60页 |
| ·单色光泵浦-探测系统 | 第60-61页 |
| ·超快光谱：泵浦-探测原理 | 第61-62页 |
| 第三节 CdZnTe复合量子阱的生长和泵浦探测测量 | 第62-66页 |
| ·CdZnTe复合量子阱的生长 | 第62-63页 |
| ·CdZnTe／ZnTe／ZnSeTe复合量子阱的光学表征 | 第63-64页 |
| ·CdZnTe／ZnTe／ZnSeTe复合量子阱的泵浦探测 | 第64-66页 |
| 小结 | 第66-69页 |
| 第五章：伴随浸润层减薄的CdZnSe量子点生长 | 第69-83页 |
| 第一节 量子点的生长方法概述 | 第69-71页 |
| 第二节 CdZnSe量子点形成过程的光谱研究 | 第71-80页 |
| ·样品生长： | 第71-72页 |
| ·样品的表征及光谱分析： | 第72-80页 |
| 小结 | 第80-83页 |
| 第六章：CdZnSe量子阱／量子点复合结构的光学性质 | 第83-100页 |
| 第一节 量子复合结构研究的侧重点和取得的进展 | 第83-85页 |
| 第二节 CdZnSe量子阱／量子点复合结构 | 第85-91页 |
| ·CdZnSe量子阱／量子点耦合的设计 | 第85页 |
| ·(ZnCdSe／ZnSe)量子阱／(CdSe／ZnSe)量子点复合结构的制备 | 第85-91页 |
| 第三节 复合结构的光学性质 | 第91-97页 |
| 小结 | 第97-100页 |
| 第七章 结论与展望 | 第100-102页 |
| 作者简介 | 第102页 |
| 攻读博士学位期间参与的课题和取得的成果 | 第102-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 长春光学精密机械与物理研究所博士学位论文原创性声明 | 第107页 |
