| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·纳米材料的特性 | 第11-13页 |
| ·量子尺寸效应 | 第11页 |
| ·量子隧道效应 | 第11-12页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第12页 |
| ·小尺寸效应 | 第12-13页 |
| ·表面效应 | 第13页 |
| ·一维硅纳米材料的研究现状 | 第13-23页 |
| ·硅的基本性质 | 第13-15页 |
| ·硅纳米线的制备 | 第15-21页 |
| ·硅纳米线的应用研究 | 第21-23页 |
| ·ZnO结构与性质 | 第23-25页 |
| ·ZnO的结构 | 第23页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第23-25页 |
| ·ZnO透明导电薄膜的研究现状及应用 | 第25-28页 |
| ·ZnO基透明导电薄膜的研究现状 | 第25-26页 |
| ·ZnO透明导电薄膜的应用 | 第26-28页 |
| ·平面显示器 | 第27页 |
| ·薄膜太阳能电池 | 第27页 |
| ·其他应用 | 第27-28页 |
| ·本文的选题依据和研究内容 | 第28-31页 |
| 第二章 实验内容和测试仪器 | 第31-37页 |
| ·实验内容 | 第31页 |
| ·实验设备及原理 | 第31-35页 |
| ·贵金属催化湿化学刻蚀方法原理及方法 | 第31-34页 |
| ·电子束蒸发技术原理与设备 | 第34-35页 |
| ·快速退火处理技术原理与设备 | 第35页 |
| ·磁控溅射原理与设备 | 第35页 |
| ·测试仪器及方法 | 第35-37页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)测试 | 第35页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)测试 | 第35-36页 |
| ·霍尔(Hall)测试 | 第36页 |
| ·光致发光谱(PL)测试 | 第36页 |
| ·光谱测试 | 第36页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性曲线测试 | 第36-37页 |
| 第三章 一维硅纳米材料的制备及表征 | 第37-53页 |
| ·一维硅纳米线阵列的制备与表征 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37-38页 |
| ·实验结果分析和讨论 | 第38-47页 |
| ·一维硅纳米孔阵列的制备与表征 | 第47-53页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验过程 | 第47-49页 |
| ·实验结果分析和讨论 | 第49-53页 |
| 第四章 n-ZnO/p-Si纳米线阵列三维异质结的制备及表征 | 第53-65页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·实验过程 | 第53-55页 |
| ·一维硅纳米线阵列的制备 | 第53页 |
| ·样品前期处理 | 第53-54页 |
| ·用磁控溅射溅射技术在硅纳米线阵列上沉积铝掺杂氧化锌透明导电薄膜 | 第54页 |
| ·用旋涂法在硅纳米线阵列上旋涂氧化锌薄膜 | 第54页 |
| ·用电子束蒸发技术在样品的上表面(ZnO面)蒸镀电极 | 第54-55页 |
| ·实验结果分析和讨论 | 第55-65页 |
| ·采用直流反应磁控溅射制备ZnO/硅纳米线阵列异质结 | 第55-58页 |
| ·采用溶胶凝胶法制备ZnO/硅纳米线阵列异质结 | 第58-61页 |
| ·硅纳米线阵列对ZnO发光性能的影响 | 第61-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 个人简历 | 第77-79页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第79-80页 |
