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高频离子源等离子体特性研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-8页
第一章 绪言第8-20页
   ·高频离子源研究概况第8-13页
   ·本文所研究的高频离子源第13-18页
   ·本文拟开展的工作及意义第18-20页
第二章 高频H型离子源的场分布第20-40页
   ·高频H型放电离子源放电空间的场分布第21-25页
   ·高频离子源击穿前轴向电场与涡旋电场的比较第25-26页
   ·高频离子源击穿后轴向电场与涡旋电场的比较第26-28页
   ·高频离子源气体击穿判据第28-32页
   ·高频离子源放电空间场分布的数值模拟第32-35页
   ·高频离子源击穿特性实验第35-36页
   ·高频离子源工作过程的划分第36-38页
   ·结论第38-40页
第三章 PLTE条件下的高频离子源光谱诊断第40-52页
   ·光谱诊断原理第40-42页
   ·光谱诊断实验系统第42-43页
   ·光学多道分析系统的定标第43-46页
   ·光谱诊断实验结果第46-49页
   ·高频离子源工作参数与等离子体参数的关系第49-51页
   ·结论第51-52页
第四章 高频离子源等离子体参数的空间分布第52-65页
   ·高频离子源放电等离子体参数的空间分布实验第52-53页
   ·高频离子源等离子体发射光谱在Y方向的分布第53-57页
   ·ABEL转换原理第57-59页
   ·高频离子源等离子体参数的径向分布第59-63页
   ·结论第63-65页
第五章 高频离子源放电模型第65-81页
   ·高频离子源零维CRAM模型第65-71页
   ·CRAM模型中的参数第71-76页
   ·CRAM模型的数值计算及结果第76-77页
   ·质子比的测定第77-81页
第六章 高频离子源束流引出特性第81-96页
   ·束流引出原理第81-83页
   ·发射面的调节第83-85页
   ·束流引出空间的电场分布第85-90页
   ·高频离子源的束流引出特性数值模拟第90-95页
   ·结论第95-96页
第七章 总结第96-99页
致谢第99-101页
参考文献第101-106页
附录 攻读博士学位期间论文发表情况第106页

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