高频离子源等离子体特性研究
摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-8页 |
第一章 绪言 | 第8-20页 |
·高频离子源研究概况 | 第8-13页 |
·本文所研究的高频离子源 | 第13-18页 |
·本文拟开展的工作及意义 | 第18-20页 |
第二章 高频H型离子源的场分布 | 第20-40页 |
·高频H型放电离子源放电空间的场分布 | 第21-25页 |
·高频离子源击穿前轴向电场与涡旋电场的比较 | 第25-26页 |
·高频离子源击穿后轴向电场与涡旋电场的比较 | 第26-28页 |
·高频离子源气体击穿判据 | 第28-32页 |
·高频离子源放电空间场分布的数值模拟 | 第32-35页 |
·高频离子源击穿特性实验 | 第35-36页 |
·高频离子源工作过程的划分 | 第36-38页 |
·结论 | 第38-40页 |
第三章 PLTE条件下的高频离子源光谱诊断 | 第40-52页 |
·光谱诊断原理 | 第40-42页 |
·光谱诊断实验系统 | 第42-43页 |
·光学多道分析系统的定标 | 第43-46页 |
·光谱诊断实验结果 | 第46-49页 |
·高频离子源工作参数与等离子体参数的关系 | 第49-51页 |
·结论 | 第51-52页 |
第四章 高频离子源等离子体参数的空间分布 | 第52-65页 |
·高频离子源放电等离子体参数的空间分布实验 | 第52-53页 |
·高频离子源等离子体发射光谱在Y方向的分布 | 第53-57页 |
·ABEL转换原理 | 第57-59页 |
·高频离子源等离子体参数的径向分布 | 第59-63页 |
·结论 | 第63-65页 |
第五章 高频离子源放电模型 | 第65-81页 |
·高频离子源零维CRAM模型 | 第65-71页 |
·CRAM模型中的参数 | 第71-76页 |
·CRAM模型的数值计算及结果 | 第76-77页 |
·质子比的测定 | 第77-81页 |
第六章 高频离子源束流引出特性 | 第81-96页 |
·束流引出原理 | 第81-83页 |
·发射面的调节 | 第83-85页 |
·束流引出空间的电场分布 | 第85-90页 |
·高频离子源的束流引出特性数值模拟 | 第90-95页 |
·结论 | 第95-96页 |
第七章 总结 | 第96-99页 |
致谢 | 第99-101页 |
参考文献 | 第101-106页 |
附录 攻读博士学位期间论文发表情况 | 第106页 |