| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| 第二章 低维半导体中的激子过程研究进展 | 第11-34页 |
| 2．1 半导体低维结构发展状况 | 第11-21页 |
| 2．1．1 半导体低维结构的概况 | 第11-15页 |
| 2．1．2 半导体低维材料的制备与表征 | 第15-17页 |
| 2．1．3 半导体低维结构的基本性质（能带，态密度，点，阱） | 第17-21页 |
| 2．2 低维结构中的激子 | 第21-27页 |
| 2．2．1 瓦涅尔激子的描述 | 第22-23页 |
| 2．2．2 量子阱中的激子特性 | 第23-24页 |
| 2．2．3 量子线及量子点中的激子特性 | 第24-25页 |
| 2．2．4 激子与光子的耦合 | 第25-27页 |
| 2．3 Ⅱ-Ⅵ族半导体低维体系的激子研究及应用 | 第27-34页 |
| 2．3．1 Ⅱ-Ⅵ族半导体低维结构中的激子效应 | 第27-30页 |
| 2．3．2 Ⅱ-Ⅵ族量子阱兰绿色激光与发光 | 第30-34页 |
| 第三章 相关的光学测量方法与系统 | 第34-48页 |
| 3．1 测量用的激光系统 | 第34-37页 |
| 3．2 光学测量系统 | 第37-40页 |
| 3．3 相关的光学测量方法 | 第40-48页 |
| 3．3．1 吸收光谱、激发光谱和发射光谱 | 第40-41页 |
| 3．3．2 喇曼散射谱 | 第41页 |
| 3．3．3 超快光谱 | 第41-48页 |
| 第四章 ZnSe/CdSe量子点中的激子-声子耦合 | 第48-62页 |
| 4．1 激子-声子耦合的理论探讨 | 第48-50页 |
| 4．1．1 声学声子散射 | 第49-50页 |
| 4．1．2 LO声子散射 | 第50页 |
| 4．2 ZnSe/CdSe量子点结构的声子模式 | 第50-56页 |
| 4．2．1 CdSe量子点的LO声子能量 | 第51-54页 |
| 4．2．2 温度对该结构声子模式的影响 | 第54-56页 |
| 4．3 ZnSe／CdSe量子点结构中激子声子耦合效应 | 第56-60页 |
| 4．3．1 激子-声子耦合对线宽的影响 | 第57-59页 |
| 4．3．2 激子-LO声子耦合对辐射峰位的影响 | 第59-60页 |
| 4．4 小结 | 第60-62页 |
| 第五章 ZnCdSe量子阱/CdSe量子点间的激子隧穿 | 第62-82页 |
| 5．1 激子隧穿 | 第62-65页 |
| 5．1．1 非对称量子阱中非共振与共振隧穿 | 第62-64页 |
| 5．1．2 非对称量子阱中的激子隧穿 | 第64-65页 |
| 5．2 飞秒泵浦-探测方法 | 第65-67页 |
| 5．3 ZnCdSe量子阱/ZnSe/CdSe量子点结构的能带 | 第67-73页 |
| 5．3．1 ZnCdSe量子阱的能带及激子能级 | 第68-71页 |
| 5．3．2 CdSe量子点的激子能级 | 第71-73页 |
| 5．4 ZnCdSe量子阱/ZnSe/CdSe量子点结构中激子隧穿 | 第73-79页 |
| 5．5 小结 | 第79-82页 |
| 第六章 CdSe量子点/ZnCdSe量子阱的激子复合 | 第82-93页 |
| 6．1 激子的复合发光 | 第82-83页 |
| 6．2 激子隧穿对激子复合的影响 | 第83-89页 |
| 6．3 温度对ZnCdSe量子阱/ZnSe/CdSe量子点结构激子复合的影响 | 第89-92页 |
| 6．4 小结 | 第92-93页 |
| 第七章 结论 | 第93-95页 |
| 攻读博士学位期间的主要科研活动和发表的论文 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
