| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1．1 引言 | 第14-15页 |
| 1．2 PtSi探测的基本原理及性能参数 | 第15-17页 |
| 1．2．1 基本原理 | 第15-16页 |
| 1．2．2 基本性能参数 | 第16-17页 |
| 1．3 PtSi红外探测研究概况 | 第17-19页 |
| 1．4 PtSi薄膜的研究状况 | 第19-21页 |
| 1．5 论文选题和章节安排 | 第21-26页 |
| 第二章 提高PtSi红外探测能力的理论分析 | 第26-40页 |
| 2．1 PtSi探测光增益模型 | 第26-32页 |
| 2．1．1 厚膜PtSi红外探测器探测参数分析 | 第26-29页 |
| 2．1．2 超薄膜PtSi红外探测器探测参数分析 | 第29-32页 |
| 2．2 PtSi／P-Si红外探测参数Monte Carlo计算 | 第32-35页 |
| 2．2．1 热空穴散射物理模型建立 | 第32-34页 |
| 2．2．2 Monte Carlo计算思路 | 第34-35页 |
| 2．3 探测参数与薄膜特性 | 第35-38页 |
| 2．4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 PtSi薄膜形成机理 | 第40-56页 |
| 3．1 引言 | 第40页 |
| 3．2 Pt-Si物相 | 第40-41页 |
| 3．3 PtSi化合物形成热力学 | 第41-45页 |
| 3．3．1 PtSi的形成 | 第41-42页 |
| 3．3．2 成核理论 | 第42-44页 |
| 3．3．3 PtSi对氧的稳定性 | 第44-45页 |
| 3．4 PtSi化合物形成动力学 | 第45-46页 |
| 3．5 硅化物形成中杂质的影响 | 第46-49页 |
| 3．5．1 氧的影响 | 第46-48页 |
| 3．5．2 水和碳影响 | 第48-49页 |
| 3．6 扩散机理 | 第49-51页 |
| 3．7 实验验证 | 第51-54页 |
| 3．7．1 薄膜最终物相 | 第51-52页 |
| 3．7．2 薄膜形成机理 | 第52-54页 |
| 3．8 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 均匀PtSi／P-Si势垒探索 | 第56-70页 |
| 4．1 引言 | 第56-58页 |
| 4．2 实验方法 | 第58-59页 |
| 4．3 衬底预处理对物相与连续性影响 | 第59-61页 |
| 4．4 退火温度、时间对薄膜物相与连续性影响 | 第61-63页 |
| 4．5 退火气氛对薄膜物相影响 | 第63-64页 |
| 4．6 溅射厚度对薄膜物相影响 | 第64-66页 |
| 4．7 薄膜电阻 | 第66-68页 |
| 4．8 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 降低PtSi／P-Si势垒高度 | 第70-86页 |
| 5．1 引言 | 第70-71页 |
| 5．2 PtIrSi／P-Si结构肖特基势垒高度 | 第71-74页 |
| 5．2．1 PtIrSi薄膜研制 | 第71-73页 |
| 5．2．2 PtIrSi／P-Si势垒高度 | 第73-74页 |
| 5．3 掺杂Si衬底降低PtSi／P-Si势垒高度理论 | 第74-77页 |
| 5．4 衬底掺杂降低势垒高度常规方法 | 第77-78页 |
| 5．4．1 热掺杂TI~+、Ir~+ | 第77-78页 |
| 5．4．2 MBE生长P~+层 | 第78页 |
| 5．5 低能离子注入P~+降低PtSi／Si势垒高度 | 第78-83页 |
| 5．5．1 参数计算和工艺设计 | 第79-81页 |
| 5．5．2 衬底注入In~-、B~-降低势垒高度 | 第81-83页 |
| 5．6 本章小结 | 第83-86页 |
| 第六章 纳米级超薄PtSi／P-Si膜新技术 | 第86-100页 |
| 6．1 引言 | 第86-87页 |
| 6．2 减薄PtSi膜厚常规工艺 | 第87-89页 |
| 6．3 超薄膜新工艺设计 | 第89页 |
| 6．4 关键工艺 | 第89-92页 |
| 6．5 工艺参数研究 | 第92-97页 |
| 6．5．1 设备参数 | 第92-93页 |
| 6．5．2 薄膜制备工艺 | 第93-96页 |
| 6．5．3 物相及厚度测试 | 第96-97页 |
| 6．6 新工艺同常规工艺比较 | 第97页 |
| 6．7 本章小结 | 第97-100页 |
| 第七章 超薄PtSi膜表征技术 | 第100-122页 |
| 7．1 引言 | 第100页 |
| 7．2 物相分析 | 第100-107页 |
| 7．2．1 XRD表征超薄PtSi膜物相 | 第100-103页 |
| 7．2．2 XPS表征超薄PtSi膜物相 | 第103-107页 |
| 7．3 薄膜厚度测定 | 第107-112页 |
| 7．3．1 电阻法测厚度 | 第107-108页 |
| 7．3．2 ARXPS测超薄膜厚度 | 第108-112页 |
| 7．3．3 TEM晶格像测超薄膜厚度 | 第112页 |
| 7．4 ARXPS对薄膜微结构研究 | 第112-114页 |
| 7．5 AFM表面形貌观察 | 第114-115页 |
| 7．6 TEM观察薄膜显微结构 | 第115-117页 |
| 7．7 XPS价带谱分析势垒 | 第117-119页 |
| 7．8 本章小结 | 第119-122页 |
| 第八章 超薄PtSi膜微结构及性能优化 | 第122-130页 |
| 8．1 引言 | 第122页 |
| 8．2 物相优化 | 第122-125页 |
| 8．3 分层结构优化 | 第125-126页 |
| 8．4 表面粗糙度降低 | 第126-128页 |
| 8．5 势垒优化 | 第128页 |
| 8．6 性能优化 | 第128-129页 |
| 8．7 本章小结 | 第129-130页 |
| 第九章 总结与展望 | 第130-134页 |
| 参考文献 | 第134-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 攻读薄膜学位期间参与的科研项目 | 第145-146页 |
| 攻读博士学位期间发表的主要论文 | 第146-148页 |
