超宽带CMOS低噪声放大器的研究
| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·本课题的研究背景和意义 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第12-16页 |
| ·本论文研究内容和创新之处 | 第16-19页 |
| ·论文的研究内容 | 第16-17页 |
| ·本文的创新点 | 第17-19页 |
| 第二章 射频器件模型的研究 | 第19-32页 |
| ·射频CMOS中的MOSFET | 第19-27页 |
| ·MOSFET 高频模型 | 第19-26页 |
| ·MOSFET 高频噪声 | 第26-27页 |
| ·射频CMOS中的电容 | 第27-28页 |
| ·射频CMOS中的电阻 | 第28-29页 |
| ·射频CMOS中的电感 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 超宽带CMOS低噪声放大电路设计 | 第32-53页 |
| ·超宽带低噪声放大器技术指标 | 第32-33页 |
| ·共源共栅源极去耦的结构分析 | 第33-36页 |
| ·源极去耦 | 第34-35页 |
| ·共源共栅 | 第35-36页 |
| ·共源共栅超宽带低噪放的设计和原理图仿真 | 第36-44页 |
| ·输入网络具体设计 | 第37-39页 |
| ·输出网络具体设计 | 第39-41页 |
| ·线性度的分析 | 第41-44页 |
| ·共源共栅超宽带低噪放的最终实现与仿真结果 | 第44-47页 |
| ·无源器件的替换 | 第44-45页 |
| ·LNA仿真结果及分析 | 第45-47页 |
| ·共源极超宽带结构低噪放 | 第47-52页 |
| ·共源极超宽带结构原理图 | 第47-49页 |
| ·共源极超宽带结构的设计和原理图仿真 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 COMS低噪声放大器的版图设计 | 第53-58页 |
| ·集成电路的工艺选择 | 第53-56页 |
| ·元件设计 | 第53-55页 |
| ·射频版图设计的注意点 | 第55-56页 |
| ·UWB CMOS LNA放大器版图设计 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 芯片测试方法简介 | 第58-63页 |
| ·MOSFET散射参数测量与去嵌 | 第58-60页 |
| ·噪声测量与噪声去嵌 | 第60-62页 |
| ·低噪声放大器的COB测试方法 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结束语 | 第63-64页 |
| ·论文工作总结 | 第63页 |
| ·进一步工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 作者研究生期间发表的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
