| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| ·用于信息存储的激光器件的发展历史 | 第7-8页 |
| ·ZnO 材料的基本特性 | 第8页 |
| ·ZnO 材料的研究进展 | 第8-12页 |
| ·本论文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 制备和表征方法简介 | 第13-21页 |
| ·电子束蒸发设备的原理和结构 | 第13-14页 |
| ·热退火装置的结构 | 第14-15页 |
| ·X 射线衍射 | 第15-16页 |
| ·吸收光谱 | 第16-18页 |
| ·微区拉曼及光致发光光谱 | 第18-21页 |
| 第三章 SiO_2 包埋 ZnO 纳米复合膜的制备及结构表征 | 第21-29页 |
| ·SiO_2 包埋ZnO 纳米复合膜的制备 | 第21页 |
| ·退火条件对 SiO_2 包埋 ZnO 纳米复合膜结构的影响 | 第21-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第四章 SiO_2 包埋 ZnO 纳米复合膜的光学性质研究 | 第29-38页 |
| ·SiO_2 包埋ZnO 纳米复合膜的吸收光谱研究 | 第29-31页 |
| ·SiO_2 包埋ZnO 纳米复合膜的发光光谱研究 | 第31-36页 |
| ·小结 | 第36-38页 |
| 第五章 结论 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42页 |