窄带半导体InVO4掺杂TiO2薄膜可见光催化性能的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-21页 |
| ·研究背景 | 第8页 |
| ·TiO_2的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·TiO_2的光催化机理 | 第9-10页 |
| ·TiO_2光催化的性能和应用 | 第10-11页 |
| ·TiO_2光催化氧化的用途 | 第10-11页 |
| ·TiO_2的自清洁功能的应用 | 第11页 |
| ·提高TiO_2光催化活性的方法 | 第11-15页 |
| ·离子掺杂 | 第12页 |
| ·表面超强酸化 | 第12页 |
| ·微波场处理 | 第12-13页 |
| ·表面光敏化 | 第13页 |
| ·电场协助光催化 | 第13-14页 |
| ·半导体复合 | 第14-15页 |
| ·InVO_4晶体的结构和性质 | 第15-16页 |
| ·InVO_4的合成方法 | 第16-17页 |
| ·固相反应法 | 第16页 |
| ·‘Chimie Douce’法 | 第16-17页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第17页 |
| ·纳米颗粒半导体复合类型 | 第17-19页 |
| ·核壳型复合半导体颗粒 | 第17页 |
| ·掺杂型复合半导体颗粒 | 第17-18页 |
| ·偶合型复合半导体颗粒 | 第18-19页 |
| ·复合半导体颗粒的制备方法 | 第19-20页 |
| ·沉淀法制备硫属化合物复合型纳米微粒 | 第19页 |
| ·囊泡作为微反应器 | 第19页 |
| ·离子交换法 | 第19页 |
| ·反相微乳法 | 第19-20页 |
| ·课题的提出 | 第20-21页 |
| 第二章 InVO_4溶胶及复合薄膜的制备和表征 | 第21-28页 |
| ·试验所用原料 | 第21页 |
| ·回流溶胶(RS)的制备 | 第21页 |
| ·InVO_4溶胶的制备 | 第21-22页 |
| ·InVO_4-TiO_2复合溶胶及薄膜的制备 | 第22-25页 |
| ·InVO_4-TiO_2复合溶胶的制备 | 第22-23页 |
| ·基片的处理 | 第23页 |
| ·浸渍提拉法制备InVO_4-TiO_2复合薄膜 | 第23-25页 |
| ·光催化实验 | 第25-26页 |
| ·在可见光下的光催化实验 | 第25页 |
| ·脱色率测试 | 第25-26页 |
| ·梯度薄膜的制备和编号结构 | 第26页 |
| ·分析方法与测试 | 第26-28页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第28-58页 |
| ·五价钒的水溶液化学性质 | 第28-30页 |
| ·回流法制备InVO_4晶体机理 | 第30-33页 |
| ·不同工艺参数对InVO_4溶胶性能的影响 | 第33-43页 |
| ·不同回流时间对InVO_4溶胶宏观状态的影响 | 第33-34页 |
| ·回流时间对晶体微观形貌的影响 | 第34-39页 |
| ·回流过程中In (OH)3晶体的作用 | 第39-40页 |
| ·不同pH值对InVO_4溶胶的影响 | 第40-43页 |
| ·InVO_4溶胶的透射电镜分析 | 第43-45页 |
| ·InVO_4溶胶的XRD分析 | 第45-49页 |
| ·短时间回流后经500°C煅烧的溶胶XRD图谱 | 第45-47页 |
| ·长时间回流处理的溶胶XRD图谱 | 第47-49页 |
| ·复合薄膜光催化反应机理 | 第49-56页 |
| ·不同回流时间对复合薄膜光催化性能的影响 | 第50-51页 |
| ·不同拉膜次数对薄膜光催化性能的影响 | 第51-53页 |
| ·不同煅烧温度对光催化性能的影响 | 第53-56页 |
| ·梯度薄膜光催化原理及其光催化性能 | 第56-58页 |
| 第四章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
