| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题研究的意义 | 第9-10页 |
| ·声表面波器件结构及特点 | 第10-12页 |
| ·声表面波器件的结构 | 第10-12页 |
| ·声表面波器件（SAW）的特点 | 第12页 |
| ·“AlN/diamond”多层膜的研究进展 | 第12-14页 |
| ·本课题的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 AlN 薄膜的性质及其制备方法 | 第15-21页 |
| ·AlN 薄膜的晶体结构 | 第15-17页 |
| ·AlN 的性质和性能 | 第17-18页 |
| ·射频磁控溅射的原理 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射 | 第18-19页 |
| ·射频溅射 | 第19页 |
| ·薄膜的表征手段 | 第19-20页 |
| ·X 射线衍射 | 第19-20页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第20页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 （100）氮化铝薄膜的制备工艺方法及其表征 | 第21-37页 |
| ·氮化铝薄膜的制备工艺 | 第21-23页 |
| ·实验装置及原理图 | 第21-22页 |
| ·靶材的选择 | 第22页 |
| ·衬底的清洗 | 第22页 |
| ·制备 AlN 薄膜的实验过程 | 第22-23页 |
| ·硅衬底上氮化铝薄膜的 XRD 表征分析 | 第23-24页 |
| ·沉积参数对 AlN 薄膜择优取向的影响 | 第24-36页 |
| ·工作气压对 AlN 薄膜的影响 | 第24-27页 |
| ·氮氩比对生长 AlN 薄膜影响 | 第27-29页 |
| ·溅射功率对 AlN 薄膜的影响 | 第29-30页 |
| ·靶基距对 AlN 薄膜择优取向的影响 | 第30-31页 |
| ·衬底温度对 AlN 薄膜择优取向的影响 | 第31-32页 |
| ·原位退火温度对 AlN 薄膜择优取向的影响 | 第32-34页 |
| ·离位退火与原位退火对 AlN 薄膜择优取向的影响 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 金刚石衬底上制备氮化铝薄膜 | 第37-41页 |
| ·金刚石的性质 | 第37页 |
| ·金刚石衬底的表征 | 第37-38页 |
| ·金刚石上氮化铝薄膜的制备与表征 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 结论与展望 | 第41-42页 |
| ·结论 | 第41页 |
| ·展望 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |