| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·研究背景及应用 | 第9-10页 |
| ·半导体表面化学理论研究的意义 | 第10-11页 |
| ·单晶 Si(111)-7×7 表面 | 第11-14页 |
| ·单晶 Si(111)-7×7 表面的几何结构 | 第12-13页 |
| ·单晶 Si(111)-7×7 表面的电子结构 | 第13-14页 |
| ·小分子修饰 Si(111)-7×7 面的研究进展 | 第14-16页 |
| ·亲电亲核表面吸附反应 | 第15页 |
| ·非芳香有机分子的环化反应 | 第15-16页 |
| ·芳香化合物吸附反应 | 第16页 |
| ·本文研究的内容和意义 | 第16-18页 |
| 第二章 量子化学方法 | 第18-35页 |
| ·量子化学的发展 | 第18-20页 |
| ·计算方法简介 | 第20-29页 |
| ·从头计算(ab initio)方法 | 第20-24页 |
| ·半经验方法 | 第24页 |
| ·密度泛函(DFT)及杂化密度泛函 83LYP 理论 | 第24-29页 |
| ·基组的选择 | 第29-31页 |
| ·振动频率的计算 | 第31-32页 |
| ·化学反应过渡态的计算方法 | 第32-34页 |
| ·计算步骤 | 第34-35页 |
| 第三章 H_2O 在Si(111)-7×7 面上吸附解离机理的理论研究 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·计算模型和方法 | 第35-36页 |
| ·结果和讨论 | 第36-44页 |
| ·第一个水分子在吸附原子和剩余原子位上的解离 | 第36-39页 |
| ·第二个水分子在吸附原子位上的解离 | 第39-42页 |
| ·第三个水分子在吸附原子位上的解离 | 第42-43页 |
| ·第四个水分子在吸附原子位上的解离 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第四章 吡咯在Si(111)-7×7 面上吸附解离机理的理论研究 | 第45-53页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·计算模型和方法 | 第45-46页 |
| ·结果和讨论 | 第46-51页 |
| ·N-H 分离吸附反应 | 第46-49页 |
| ·CC[4+2]环加成吸附 | 第49-50页 |
| ·CN[2+2]环加成吸附 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第五章NH3 在Si(111)-7×7 面上吸附解离机理的理论研究 | 第53-60页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·计算模型和方法 | 第53-54页 |
| ·结果和讨论 | 第54-59页 |
| ·NH_3 在吸附原子-剩余原子对上的初级解离过程 | 第54-55页 |
| ·NH_3 在剩余原子位上完全解离过程 | 第55-57页 |
| ·NH_3 在吸附原子位上完全解离过程 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 结论与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 附录A (攻读学位期间发表论文目录) | 第72页 |
