氮化铝纳米线的合成与生长机理研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-24页 |
| ·纳米材料概述 | 第8-15页 |
| ·纳米材料的发展历史 | 第8-9页 |
| ·纳米材料的基本效应 | 第9-12页 |
| ·纳米材料的制备方法 | 第12页 |
| ·纳米材料的测试和表征 | 第12-14页 |
| ·一维纳米材料的研究意义 | 第14-15页 |
| ·AlN材料概述 | 第15-22页 |
| ·AlN的研究历史 | 第15-16页 |
| ·AlN的性能 | 第16-22页 |
| ·AlN的应用前景 | 第22页 |
| ·本论文的研究意义和主要工作 | 第22-24页 |
| 2 一维AlN纳米材料制备方法的进展 | 第24-31页 |
| ·直接氮化法 | 第24-25页 |
| ·催化剂辅助生长法 | 第25-26页 |
| ·弧光放电法 | 第26-27页 |
| ·气相沉积法 | 第27-28页 |
| ·物理气相沉积法 | 第27页 |
| ·化学气相沉积法 | 第27-28页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法 | 第28页 |
| ·模板法 | 第28-30页 |
| ·碳纳米管限域反应法 | 第28-29页 |
| ·氧化铝模板制备法 | 第29-30页 |
| ·一维AlN纳米材料制备方法总结 | 第30-31页 |
| 3 复分解反应法制备AlN纳米线 | 第31-40页 |
| ·实验 | 第31-35页 |
| ·实验原料 | 第31页 |
| ·实验设备 | 第31-32页 |
| ·实验化学原理 | 第32-33页 |
| ·实验流程 | 第33-35页 |
| ·反应条件对合成纳米线的影响 | 第35页 |
| ·加热温度的影响 | 第35页 |
| ·保温时间的影响 | 第35页 |
| ·结果与分析 | 第35-40页 |
| ·X射线衍射分析 | 第35-36页 |
| ·透射电子显微分析 | 第36-37页 |
| ·选区电子衍射分析 | 第37-38页 |
| ·紫外吸收谱分析 | 第38页 |
| ·光致发光谱分析 | 第38-40页 |
| 4 AlN纳米线生长机理的研究 | 第40-50页 |
| ·纳米线的生长机理概述 | 第40-46页 |
| ·完美晶体表面的成核作用 | 第40-41页 |
| ·螺旋位错成核作用 | 第41-42页 |
| ·纳米线的生长条件 | 第42-43页 |
| ·纳米线的气相生长机理 | 第43-46页 |
| ·复分解反应法合成AlN纳米线的生长机理 | 第46-50页 |
| ·晶核形成过程 | 第46页 |
| ·纳米线的生长过程 | 第46-48页 |
| ·纳米线生长方向的理论分析 | 第48-50页 |
| 5 结论 | 第50-51页 |
| ·本文总结 | 第50页 |
| ·进一步的工作设想 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 附录 | 第55页 |
