| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第1章 引言 | 第12-20页 |
| ·超导体的发展历程 | 第12-15页 |
| ·超导体的两大基本性质 | 第15-16页 |
| ·超导体的同位素效应 | 第16页 |
| ·超导体的几个重要特征参数 | 第16-18页 |
| ·超导体的钉扎力和钉扎中心 | 第18页 |
| ·超导体的应用 | 第18-20页 |
| 第2章 MgB_2超导体简介 | 第20-43页 |
| ·引言 | 第20-22页 |
| ·Mg、B、MgB_2的物理化学特性 | 第22-29页 |
| ·Mg的物理化学特点 | 第22-23页 |
| ·B的物理化学特点 | 第23-24页 |
| ·Mg-B二元相图 | 第24-26页 |
| ·MgB_2超导体的晶体结构 | 第26-28页 |
| ·MgB_2超导体的性能特点 | 第28-29页 |
| ·MgB_2超导体的研究现状 | 第29-36页 |
| ·制备超导体(块、薄膜、线带材)工艺的研究 | 第29-35页 |
| ·MgB_2超导体热稳定性的研究 | 第35页 |
| ·改进MgB_2超导体磁场性能的研究 | 第35-36页 |
| ·MgB_2超导体的临界电流密度特性 | 第36-38页 |
| ·MgB_2超导体的磁通钉扎性能 | 第38-39页 |
| ·MgB_2超导体的应用前景 | 第39-40页 |
| ·MgB_2超导体制备和成材过程中存在问题及分析 | 第40-42页 |
| ·元素的掺杂及替代的研究 | 第41页 |
| ·高性能线带材in-situ PIT制备工艺 | 第41页 |
| ·增强线带材磁通钉扎的研究 | 第41-42页 |
| ·论文的选题依据和研究目标 | 第42-43页 |
| ·选题依据 | 第42页 |
| ·研究目标 | 第42-43页 |
| 第3章 新扩散法制备实用化的MgB_2超导体研究 | 第43-52页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验及测试方法 | 第44-45页 |
| ·扩散法制备的MgB_2样品的XRD分析 | 第45-46页 |
| ·扩散法制备的MgB_2样品的SEM分析 | 第46-47页 |
| ·扩散法制备的MgB_2样品超导电性分析 | 第47-48页 |
| ·不同热处理条件下制备的MgB_2样品超导电性分析 | 第48-49页 |
| ·淬火对扩散法制备的MgB_2样品性能的影响 | 第49-50页 |
| ·Pr_6O_(11)和C掺杂对扩散法制备的MgB_2样品性能的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 不同Mg/B化学计量比对MgB_2超导性能的影响 | 第52-60页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·MgB_2块材的制备及测试方法 | 第52-54页 |
| ·MgB_2块材的制备方法 | 第52-53页 |
| ·MgB_2块材的测试方法 | 第53-54页 |
| ·不同Mg/B化学剂量比的MgB_2样品的XRD分析 | 第54-55页 |
| ·不同Mg/B化学剂量比对MgB_2样品超导电性的影响 | 第55-56页 |
| ·不同Mg/B化学剂量比的MgB_2样品的SEM分析 | 第56-57页 |
| ·不同Mg/B化学剂量比对MgB_2样品磁通钉扎性能的影响 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 纳米Pr_6O_(11)粉末掺杂的MgB_2块材性能研究 | 第60-68页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·实验及测试方法 | 第60-61页 |
| ·Pr_6O_(11)掺杂MgB_2样品的XRD分析 | 第61-62页 |
| ·Pr_6O_(11)掺杂对MgB_2样品超导电性的影响 | 第62-65页 |
| ·未掺杂和1wt.%Pr_6O_(11)掺杂量的MgB_2样品对比分析 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文和科研成果 | 第81页 |
