| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 目录 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-36页 |
| ·自旋电子学概述 | 第17-20页 |
| ·稀磁半导体的磁性机理 | 第20-27页 |
| ·RKKY作用 | 第21-22页 |
| ·平均场理论 | 第22-23页 |
| ·双交换作用 | 第23-25页 |
| ·超交换作用 | 第25-26页 |
| ·束缚极化子模型(BMP) | 第26-27页 |
| ·d0铁磁性 | 第27-28页 |
| ·纳米材料[36] | 第28-31页 |
| ·纳米材料概述 | 第28-30页 |
| ·纳米材料的制备 | 第30页 |
| ·纳米材料的特性 | 第30-31页 |
| ·SnO_2的结构和基本性质 | 第31-32页 |
| ·本论文的研究动机和课题选取 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第二章 SnO_2和SnO_2基半导体材料的制备和表征 | 第36-67页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第36-46页 |
| ·溶胶-凝胶法的基本原理 | 第37-38页 |
| ·溶胶-凝胶法的工艺过程 | 第38-40页 |
| ·溶胶-凝胶法制备薄膜样品的方法 | 第40-42页 |
| ·溶胶-凝胶法制备Sn_(1-x)V_xO_2薄膜 | 第42-46页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第46-51页 |
| ·化学气相沉积的基本原理 | 第46-47页 |
| ·化学气相沉积的工艺及设备 | 第47-48页 |
| ·化学气相沉积的工艺参数 | 第48页 |
| ·气-液-固(V-L-S)生长机制和气-固(V-S)生长机制 | 第48-51页 |
| ·碳热还原法(carbothermal reduction) | 第51页 |
| ·材料的测试与表征 | 第51-63页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第51-53页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第53-54页 |
| ·高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选区电子衍射(SEAD) | 第54-55页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第55页 |
| ·磁性测量 | 第55-60页 |
| ·紫外-可见吸收光谱法 | 第60-61页 |
| ·拉曼发光光谱(Raman) | 第61-62页 |
| ·光致发光光谱 | 第62-63页 |
| ·四探针法 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 第三章 Sn_(1-x)V_xO_2薄膜样品的结构和磁性研究 | 第67-85页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的制备 | 第68-69页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的XRD表征 | 第69-70页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的形貌表征 | 第70-72页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的XPS表征 | 第72-73页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的磁性性质 | 第73-76页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的VSM研究 | 第73-74页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的SQUID研究 | 第74-76页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的输运性质 | 第76-78页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的光学性质 | 第78-79页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的磁性机理讨论 | 第79-80页 |
| ·Sn_(1-x)V_xO_2薄膜的回火处理研究 | 第80-82页 |
| ·在真空和氧气环境下的回火处理 | 第80-82页 |
| ·Sn蒸气下的回火处理 | 第82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第四章 SnO_2纳米材料的结构与磁性 | 第85-129页 |
| ·引言 | 第85-86页 |
| ·SnO_2纳米材料的制备 | 第86-88页 |
| ·衬底处理 | 第86-87页 |
| ·样品制备 | 第87-88页 |
| ·反应温度对产物形貌和磁性的影响 | 第88-93页 |
| ·反应产物的形貌与结构 | 第88-90页 |
| ·反应产物的生长率 | 第90-91页 |
| ·反应产物的磁性 | 第91-92页 |
| ·反应产物的光致发光特性 | 第92-93页 |
| ·小结 | 第93页 |
| ·反应气体O_2流量对产物形貌和磁性的影响 | 第93-102页 |
| ·反应产物的形貌与结构 | 第94-97页 |
| ·反应产物的生产量 | 第97-98页 |
| ·反应产物的磁性 | 第98-99页 |
| ·反应产物的光致发光特性 | 第99-100页 |
| ·反应产物的XPS谱图研究 | 第100-101页 |
| ·小结 | 第101-102页 |
| ·载气Ar流量对产物形貌和磁性的影响 | 第102-106页 |
| ·反应产物的形貌与结构 | 第102-104页 |
| ·反应产物的生长量 | 第104-105页 |
| ·反应产物的磁性 | 第105页 |
| ·反应产物的光致发光特性 | 第105页 |
| ·小结 | 第105-106页 |
| ·催化剂层的厚度对产物形貌和磁性的影响 | 第106-112页 |
| ·反应产物的形貌与结构 | 第106-108页 |
| ·SnO_2纳米线的生长机理研究 | 第108-109页 |
| ·反应产物的生产量 | 第109页 |
| ·反应产物的磁性 | 第109-111页 |
| ·反应产物的光致发光特性 | 第111页 |
| ·小结 | 第111-112页 |
| ·衬底材料对产物性形貌和磁性的影响 | 第112-114页 |
| ·反应产物的形貌与结构 | 第112-113页 |
| ·反应产物的生产量 | 第113-114页 |
| ·反应产物的磁性 | 第114页 |
| ·反应产物的光致发光特性 | 第114页 |
| ·小结 | 第114页 |
| ·SnO_2纳米材料的磁性机理讨论 | 第114-124页 |
| ·SnO_2纳米材料磁性的本征性证明 | 第115-117页 |
| ·SnO_2纳米材料的比表面积变化对磁性的影响 | 第117-120页 |
| ·SnO_2纳米材料的回火处理研究 | 第120-124页 |
| ·本章小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-129页 |
| 第五章 Sn_(1-x)Cr_xO_(2-d)纳米线的结构与磁性 | 第129-142页 |
| ·引言 | 第129-130页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-d)纳米线的制备 | 第130页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO__(2-δ)纳米线的成分测量 | 第130-131页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-A)纳米线的形貌与结构 | 第131-133页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的SEM图像 | 第131页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的XRD谱图 | 第131-133页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的TEM和SAED图像 | 第133页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的XPS测量 | 第133-134页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的磁性测量 | 第134-137页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的VSM研究 | 第134-136页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线SQUID研究 | 第136-137页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的磁性机理讨论 | 第137-139页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的光致发光测量 | 第138-139页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的XPS测量 | 第139页 |
| ·结果分析与讨论 | 第139页 |
| ·本章小结 | 第139-140页 |
| 参考文献 | 第140-142页 |
| 第六章 SnO_2和Sn_(1-x)Cu_xO_(2-δ)纳米线的结构与磁性 | 第142-155页 |
| ·引言 | 第142页 |
| ·Sn_(1-x)Cu_xO_(2-δ)纳米线的制备 | 第142-143页 |
| ·Sn_(1-x)Cr_xO_(2-δ)纳米线的成分测量 | 第143-144页 |
| ·Sn_(1-x)Cu_xO_(2-δ)纳米线的形貌与结构 | 第144-147页 |
| ·Sn_(1-x)Cu_xO_(2-δ)纳米线的SEM图像 | 第144-145页 |
| ·Sn_(1-x)Cu_xO_(2-δ)纳米线的XRD谱图 | 第145-146页 |
| ·Sn_(1-x)Cu_xO_(2-δ)纳米线的HRTEM和SAED图像 | 第146-147页 |
| ·Sn_(1-x)Cu_xO_(2-δ)纳米线的拉曼光谱分析 | 第147页 |
| ·Sn_(1-x)Cu_xO_(2-δ)纳米线的生长机理 | 第147-152页 |
| ·Sn_(1-x)Cu_xO_(2-δ)纳米线的磁学性质 | 第152-153页 |
| ·本章小结 | 第153-154页 |
| 参考文献 | 第154-155页 |
| 第七章 结论 | 第155-157页 |
| 附录 | 第157-160页 |
| 致谢 | 第160页 |
