| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·半导体光放大器发展扼要回顾 | 第10-13页 |
| ·半导体光放大器应用概述 | 第13-17页 |
| ·两段式半导体光放大器 | 第17-21页 |
| ·量子点生长及量子点半导体光放大器概述 | 第21-23页 |
| ·本论文主要内容 | 第23-25页 |
| 2 两段式量子阱半导体光放大器制作与性能测试 | 第25-42页 |
| ·量子阱半导体光放大器结构设计 | 第25-31页 |
| ·两段式量子阱半导体光放大器制作 | 第31-35页 |
| ·两段式量子阱半导体光放大器性能测试 | 第35-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 3 两段式半导体光放大器波长转换研究 | 第42-57页 |
| ·两段式半导体光放大器理论模型 | 第42-48页 |
| ·两段式半导体光放大器波长转换器 | 第48-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 4 InAs量子点生长及盖层对量子点结构和光学性质的影响 | 第57-80页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·量子点生长机制 | 第58-66页 |
| ·生长条件对InAs/GaAs量子点的影响 | 第66-70页 |
| ·盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响 | 第70-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 5 多模InAs量子点生长及其光学性质研究 | 第80-91页 |
| ·引言 | 第80页 |
| ·自组装多模量子点形成机理 | 第80-82页 |
| ·多模InAs量子点样品制备 | 第82-83页 |
| ·实验结果与讨论 | 第83-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 6 自组装InAs量子点分子生长及其性能研究 | 第91-103页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·InAs/GaAs量子点分子结构和光学性质 | 第92-97页 |
| ·InGaAs盖层对InAs量子点光学性质的影响 | 第97-99页 |
| ·宽光谱InAs量子点分子光学性质研究 | 第99-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-120页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第120-121页 |