摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-11页 |
第1章 绪论 | 第11-28页 |
·铋层状结构铁电材料简介 | 第11-12页 |
·铋层状结构材料的性能 | 第12-17页 |
·铋层状结构材料的铁电性 | 第12-15页 |
·铋层状结构材料的压电性 | 第15-17页 |
·铋层类钙钛矿结构铁电粉体的制备 | 第17-18页 |
·铁电陶瓷粉体的物理制备方法 | 第17页 |
·铁电陶瓷粉体的化学制备方法 | 第17-18页 |
·薄膜的制备 | 第18-20页 |
·溅射法 | 第18页 |
·脉冲激光沉积法(PLD) | 第18-19页 |
·金属有机化合物气相沉积法(MOCVD) | 第19页 |
·金属有机热分解法(MOD) | 第19页 |
·溶胶-凝胶法 | 第19-20页 |
·铋层状结构压电材料分类 | 第20-22页 |
·Bi_4Ti_3O_(12) 基无铅压电材料; | 第20-21页 |
·MBi_4Ti_4O_(15) 基无铅压电材料; | 第21-22页 |
·MBi_2N_2O_9 基无铅压电材料(M=Sr,Ca;N=Nb,Ta); | 第22页 |
·复合铋层状结构无铅压电材料 | 第22页 |
·本论文研究的目的和意义 | 第22-25页 |
参考文献 | 第25-28页 |
第2章 CaBi_(3.75-x)Eu_xNd_(0.25)Ti_4O_(15)薄膜的光致发光和电学性能研究 | 第28-47页 |
·引言 | 第28-29页 |
·光致发光 | 第29页 |
·Eu~(3+)掺杂CaBi_4Ti_4O_(15):Nd 薄膜的制备 | 第29-30页 |
·样品的表征手段 | 第30-32页 |
·X 射线衍射仪(XRD) | 第30页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
·荧光光谱仪 | 第31页 |
·铁电测试仪 | 第31-32页 |
·CBENT 薄膜的结构与形貌分析 | 第32-34页 |
·退火温度对CBENT 薄膜的影响 | 第32页 |
·Eu~(3+)掺杂浓度对CBENT 薄膜的影响 | 第32-34页 |
·CBENT 薄膜的表面形貌和横截面 | 第34-37页 |
·不同Eu~(3+)浓度下CBENT 薄膜的形貌 | 第34-36页 |
·不同退火温度下CBENT 薄膜的形貌 | 第36-37页 |
·光致发光性分析 | 第37-40页 |
·不同退火温度下CBENT 薄膜的光致发光 | 第37-38页 |
·不同Eu~(3+)浓度下CBENT 薄膜的光致发光 | 第38-40页 |
·铁电性分析 | 第40-43页 |
·不同Eu~(3+)浓度下CBENT 薄膜的电滞回线 | 第40-42页 |
·Eu~(3+)浓度为0.2 和0.5 时CBENT 薄膜的电滞回线 | 第42-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-47页 |
第3章 Bi_4Ti_3O_(12)薄膜表面光电压性质的研究 | 第47-65页 |
·引言 | 第47页 |
·表面光伏效应 | 第47-48页 |
·表面光伏效应 | 第48页 |
·表面光电压谱 | 第48页 |
·样品表征 | 第48-50页 |
·光学吸收谱 | 第48-49页 |
·表面光电压谱仪 | 第49-50页 |
·薄膜制备 | 第50页 |
·BiT 薄膜结构和形貌分析 | 第50-52页 |
·BiT 薄膜的XRD 图 | 第50-51页 |
·BiT 薄膜的表面形貌和横截面 | 第51-52页 |
·BiT 薄膜铁电性和光学吸收谱 | 第52-55页 |
·BiT 薄膜的铁电性 | 第52-54页 |
·BiT 薄膜的光学吸收谱 | 第54-55页 |
·BiT 薄膜表面光电压谱 | 第55-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-65页 |
第4章 CaBi_(3.75-x)Eu_xNd_(0.25)Ti_4O_(15)陶瓷的发光及介电性能的研究 | 第65-82页 |
·引言 | 第65页 |
·溶胶-凝胶法制备Eu 和Nd 共掺杂的CaBi_4Ti_4O_(15) 陶瓷 | 第65-66页 |
·陶瓷样品的表征 | 第66-68页 |
·拉曼光谱(Raman, Renishaw1000) | 第66-67页 |
·X 射线光电子能谱(XPS, Axis Ultra, Kratos) | 第67页 |
·介电测量 | 第67-68页 |
·不同掺杂浓度的CBENT 粉末结构分析及表面图 | 第68-71页 |
·不同掺杂浓度的CBENT 粉末的XRD 分析 | 第68-69页 |
·不同掺杂浓度的CBENT 粉末的拉曼谱分析 | 第69-70页 |
·CBENT 陶瓷的扫描电镜图 | 第70-71页 |
·元素分析 | 第71-73页 |
·光致发光 | 第73-75页 |
·介电测量 | 第75-77页 |
·CBENT 陶瓷的介电温谱 | 第75-77页 |
·CBENT 陶瓷的在40-1 MHz 下的介电频谱 | 第77页 |
·CBENT 陶瓷的铁电性 | 第77-78页 |
·本章小结 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-82页 |
第5章 Er 掺杂Bi_4Ti_3O_(12)铁电材料的上转换发光性质研究 | 第82-95页 |
·引言 | 第82-83页 |
·上转换发光机理 | 第83-84页 |
·激发态吸收过程(ESA,Excited State Absorption) | 第83页 |
·能量传递(ET,Energy Transfer) | 第83-84页 |
·直接双光子吸收(TPA,Two Photon Absorption) | 第84页 |
·“光子雪崩”(PA,Photon Avalanche) | 第84页 |
·Bi_4Ti_3O_(12):Er 铁电粉末的制备 | 第84-85页 |
·Bi_4Ti_3O_(12):Er 粉末的结构和形貌分析 | 第85-88页 |
·Bi_4Ti_3O_(12):Er 的XRD 分析 | 第85-86页 |
·Bi_4Ti_3O_(12):Er 的拉曼分析 | 第86-87页 |
·Bi_4Ti_3O_(12):Er 的形貌分析 | 第87-88页 |
·Bi_4Ti_3O_(12):Er 粉末的上转换发光性质研究 | 第88-90页 |
·Bi_4Ti_3O_(12):Er 的铁电性质研究 | 第90页 |
·本章小结 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-95页 |
攻读硕士期间完成的论文 | 第95-96页 |
致谢 | 第96页 |