| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| ·4H-SiC 材料和SBD 器件的发展 | 第12-17页 |
| ·4H-SiC 材料的优点 | 第12-13页 |
| ·4H-SiC 材料和SBD 器件的进展 | 第13-17页 |
| ·存在的问题 | 第17-20页 |
| ·4H-SiC 半导体材料制备方面的问题 | 第18-19页 |
| ·4H-SiC SBD 器件方面的问题 | 第19-20页 |
| ·本论文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第2章 4H-SiC 同质外延材料的制备及检测 | 第22-49页 |
| ·SiC 材料的基本特征 | 第22-30页 |
| ·SiC 的晶体结构 | 第22-25页 |
| ·4H-SiC 的能带宽度 | 第25-26页 |
| ·碰撞电离系数 | 第26-27页 |
| ·载流子的迁移率 | 第27-30页 |
| ·4H-SiC 同质外延薄膜的制备 | 第30-38页 |
| ·CVD 法设备的简单介绍 | 第30-32页 |
| ·4H-SiC 同质外延薄膜CVD 淀积的物理化学反应原理 | 第32-36页 |
| ·4H-SiC 同质外延薄膜生长工艺研究 | 第36-38页 |
| ·4H-SiC 同质外延薄膜实验结果与讨论 | 第38-48页 |
| ·4H-SiC 同质外延淀积速率和淀积源流量的关系 | 第39-42页 |
| ·4H-SiC 同质外延掺杂浓度与淀积源流量之关系 | 第42-45页 |
| ·4H-SiC 同质外延薄膜表面形貌测试 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第3章 高压4H-SiC 肖特基势垒二极管的理论分析 | 第49-65页 |
| ·高压4H-SiC SBD 器件反向击穿电压 | 第49-50页 |
| ·高压4H-SiC SBD 的正向伏安特性分析 | 第50-59页 |
| ·高压4H-SiC SBD 器件的正向导通压降 | 第50-51页 |
| ·高压4H-SiC SBD 器件的肖特基势垒高度 | 第51-54页 |
| ·高压4H-SiC SBD 的外延层和衬底的串联电阻 | 第54-56页 |
| ·高压4H-SiC SBD 衬底与衬底面金属之间欧姆接触 | 第56-59页 |
| ·高压4H-SiC 肖特基势垒二极管的反向伏安特性 | 第59-63页 |
| ·载流电子穿过N 型4H-SiC 肖特基势垒的途经 | 第59页 |
| ·高压4H-SiC 肖特基势垒二极管的反向电流密度的计算模型 | 第59-63页 |
| ·高压4H-SiC SBD 器件耗散功率分析 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 高压4H-SiC SBD 结终端技术研究 | 第65-80页 |
| ·研究高压4H-SiC SBD 结终端技术的必要性 | 第65-67页 |
| ·高压4H-SiC SBD 平面结终端技术 | 第67-71页 |
| ·4H-SiC SBD 器件的场板技术 | 第67页 |
| ·4H-SiC SBD 器件的保护环技术 | 第67-68页 |
| ·4H-SiC 半导体平面结腐蚀造型 | 第68-69页 |
| ·4H-SiC SBD 结终端扩展技术 | 第69-70页 |
| ·4H-SiC 半导体SBD 结场限环技术 | 第70-71页 |
| ·高压4H-SiC SBD 器件的反向耐压特性模拟分析 | 第71-79页 |
| ·ISE-TCAD10.0 简介 | 第71-72页 |
| ·求解的基本方程 | 第72-73页 |
| ·高压4H-SiC SBD 器件的模拟结果 | 第73-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第5章 高压4H-SiC SBD 器件的研制 | 第80-109页 |
| ·n 型4H-SiC 体材料欧姆和肖特基接触的制备 | 第80-95页 |
| ·Ni/4H-SiC 欧姆接触工艺研究 | 第80-84页 |
| ·Mo/4H-SiC 肖特基接触工艺研究 | 第84-88页 |
| ·高压4H-SiC SBD 结终端结构中的离子注入理论 | 第88-95页 |
| ·基于结终端场限环的Mo/4H-SiC 肖特基势垒二极管的研制 | 第95-100页 |
| ·基于FLR 的Mo/4H-SiC SBD 器件用的材料及结构图 | 第96页 |
| ·基于FLR 的Mo/4H-SiC SBD 器件的研制工艺 | 第96-98页 |
| ·基于 FLR 的 Mo/4H-SiC SBD 器件实验结果及分析 | 第98-100页 |
| ·基于 FLR 的 Ni/4H-SiC 肖特基势垒二极管的研制 | 第100-104页 |
| ·基于 FLR 的 Ni/4H-SiC SBD 器件用的材料及结构图 | 第100-101页 |
| ·基于FLR 的Ni/4H-SiC SBD 器件的研制工艺 | 第101-102页 |
| ·基于FLR 的Ni/4H-SiC SBD 器件实验结果及分析 | 第102-104页 |
| ·基于JTE 的Ni/4H-SiC 肖特基势垒二极管的研制 | 第104-108页 |
| ·基于JTE 的Ni/4H-SiC SBD 器件用的材料及结构图 | 第104-105页 |
| ·基于JTE 的Ni/4H-SiC SBD 器件的研制工艺 | 第105页 |
| ·基于JTE 的Ni/4H-SiC SBD 器件实验结果及分析 | 第105-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 结论 | 第109-113页 |
| 参考文献 | 第113-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 附录A（攻读学位期间所发表的学术论文） | 第124-125页 |
| 附录B（攻读学位期间所参加的科研工作） | 第125页 |
