| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-10页 |
| 1.3 研究内容和论文结构安排 | 第10-13页 |
| 第2章 故障注入背景技术 | 第13-27页 |
| 2.1 概述 | 第13页 |
| 2.2 故障注入技术 | 第13-17页 |
| 2.2.1 电压故障注入 | 第13-15页 |
| 2.2.2 时钟故障注入 | 第15页 |
| 2.2.3 温度故障注入 | 第15-16页 |
| 2.2.4 光故障注入 | 第16页 |
| 2.2.5 聚焦离子束故障注入 | 第16页 |
| 2.2.6 谐波故障注入 | 第16-17页 |
| 2.3 电磁故障注入技术 | 第17-22页 |
| 2.3.1 电磁脉冲故障注入 | 第19-21页 |
| 2.3.2 电磁谐波故障注入 | 第21-22页 |
| 2.4 抗故障注入技术 | 第22-25页 |
| 2.4.1 一般抗故障注入技术 | 第22-24页 |
| 2.4.2 抗瞬态毛刺故障注入技术 | 第24-25页 |
| 2.4.3 抗电磁故障注入技术 | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 纳秒级电磁脉冲发生器的研制及相关寄生参数研究 | 第27-45页 |
| 3.1 概述 | 第27页 |
| 3.2 电磁脉冲发生器相关技术 | 第27-29页 |
| 3.3 电磁脉冲发生器基本原理 | 第29-30页 |
| 3.4 电磁脉冲发生器的设计 | 第30-33页 |
| 3.4.1 直流电源 | 第30页 |
| 3.4.2 Marx电路 | 第30页 |
| 3.4.3 信号发生器 | 第30页 |
| 3.4.4 MOSFET驱动电路 | 第30-32页 |
| 3.4.5 电磁探头 | 第32-33页 |
| 3.5 电路寄生参数对MOSFET开关特性的影响 | 第33-39页 |
| 3.5.1 HSPICE仿真等效模型 | 第34-35页 |
| 3.5.2 各个寄生参数对MOSFET开关特性的影响 | 第35-37页 |
| 3.5.3 数学模型 | 第37-39页 |
| 3.5.4 设计指南 | 第39页 |
| 3.6 小型电磁脉冲发生器的测试 | 第39-43页 |
| 3.6.1 电路元器件选取 | 第39-40页 |
| 3.6.2 电磁脉冲故障注入实验平台 | 第40页 |
| 3.6.3 负载端电压脉冲波形 | 第40-41页 |
| 3.6.4 电磁脉冲测试结果 | 第41-43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 电磁脉冲故障注入实验 | 第45-59页 |
| 4.1 概述 | 第45页 |
| 4.2 FPGA及其设计流程 | 第45-47页 |
| 4.2.1 FPGA结构与工作原理 | 第45-46页 |
| 4.2.2 FPGA设计流程 | 第46页 |
| 4.2.3 SAKURA-G开发板 | 第46-47页 |
| 4.3 AES-128加密电路的电磁脉冲故障注入实验 | 第47-52页 |
| 4.3.1 AES-128加密算法 | 第47-48页 |
| 4.3.2 AES-128加密电路的硬件实现 | 第48-50页 |
| 4.3.3 电磁脉冲故障注入实验 | 第50-52页 |
| 4.4 电磁脉冲故障注入机理 | 第52-57页 |
| 4.4.1 组合逻辑电路 | 第53-56页 |
| 4.4.2 时序逻辑电路 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
