掩膜电解加工制备铝基可控超疏水圆柱阵列
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 课题来源 | 第7页 |
| 1.2 研究背景与意义 | 第7-8页 |
| 1.3 超疏水表面的制备 | 第8-11页 |
| 1.3.1 现有超疏水表面制备方法 | 第8-10页 |
| 1.3.2 存在的问题 | 第10-11页 |
| 1.4 超疏水柱状阵列结构的制备 | 第11-16页 |
| 1.4.1 现有超疏水阵列结构的制备方法 | 第11-15页 |
| 1.4.2 存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.5 本文的研究思路与内容 | 第16-17页 |
| 2 掩膜电解加工制备超疏水表面的相关理论 | 第17-26页 |
| 2.1 掩膜电解加工基本理论 | 第17-21页 |
| 2.1.1 光刻胶掩膜的制备 | 第17-18页 |
| 2.1.2 有掩膜电解加工 | 第18-21页 |
| 2.2 固体表面润湿性相关理论 | 第21-24页 |
| 2.2.1 Young接触模型 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Wenzel接触模型 | 第22页 |
| 2.2.3 Cassie-Baxter接触模型 | 第22-24页 |
| 2.3 微观作用力 | 第24-25页 |
| 2.3.1 毛细作用力 | 第24页 |
| 2.3.2 拉普拉斯力 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 3 阵列结构掩膜电解加工仿真 | 第26-35页 |
| 3.1 掩膜电解加工过程仿真 | 第26-29页 |
| 3.1.1 仿真模型的建立 | 第26-27页 |
| 3.1.2 模型边界的迭代计算方法 | 第27-29页 |
| 3.2 阵列尺寸参数变化规律分析 | 第29-34页 |
| 3.2.1 阵列结构变化过程与基本参数 | 第29-31页 |
| 3.2.2 尺寸参数随电加工参数变化规律 | 第31-32页 |
| 3.2.3 侧向腐蚀作用及d与h变化的关系 | 第32-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 超疏水圆柱阵列制备试验研究 | 第35-50页 |
| 4.1 试验方法与过程 | 第35-39页 |
| 4.1.1 试验材料与装置 | 第35-36页 |
| 4.1.2 制备方法与流程 | 第36-37页 |
| 4.1.3 光刻胶掩膜与金属基底结合力改善 | 第37-39页 |
| 4.2 仿真结果验证 | 第39-43页 |
| 4.2.1 超疏水圆柱阵列制备结果表征 | 第39-41页 |
| 4.2.2 制备结果与仿真结果对比分析 | 第41-43页 |
| 4.3 圆柱阵列尺寸对表面润湿性影响规律分析 | 第43-48页 |
| 4.3.1 阵列结构表面接触状态 | 第43-44页 |
| 4.3.2 阵列结构表面接触角 | 第44-46页 |
| 4.3.3 润湿性现象产生原因分析 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
