氧化锌基紫外探测器的制备与研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| ·课题的背景 | 第8-10页 |
| ·国内外发展现状 | 第10-13页 |
| ·课题的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 ZnO 及其薄膜材料的性质 | 第15-29页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·宽禁带半导体 | 第15-17页 |
| ·ZnO 的基本物理化学特性 | 第17页 |
| ·ZnO 的优缺点 | 第17-19页 |
| ·ZnO 的P-n 结特性 | 第19页 |
| ·ZnO 薄膜的晶体结构 | 第19-21页 |
| ·ZnO 薄膜的光学和电学性能 | 第21-23页 |
| ·ZnO 薄膜的用途 | 第23-25页 |
| ·ZnO 薄膜器件介绍 | 第25-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第3章 紫外探测器 | 第29-38页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·紫外发展过程简述 | 第30-31页 |
| ·紫外探测器的分类 | 第31-34页 |
| ·紫外光探测器 | 第34-35页 |
| ·金属半导体金属光探测器 | 第35-36页 |
| ·用作紫外探测器的半导体材料及常见几种类型比较 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第4章 ZnO 薄膜材料的制备 | 第38-57页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法简介 | 第38-44页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第39-41页 |
| ·分子束（MBE） | 第41页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第41-42页 |
| ·锌膜氧化法 | 第42-43页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第43页 |
| ·溅射（sputtering） | 第43-44页 |
| ·ZnO 薄膜材料的MOCVD 生长 | 第44-56页 |
| ·MOCVD 生长技术简介 | 第45-48页 |
| ·MOCVD 反应系统 | 第48-51页 |
| ·MOCVD 法生长ZnO 源材料的选择 | 第51-53页 |
| ·ZnO 薄膜的生长 | 第53-55页 |
| ·ZnO 薄膜的生长温度的优化 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第5章 ZnO 基紫外探测器的制备 | 第57-63页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·ZnO 叉指状电极结构探测器的设计 | 第57-58页 |
| ·ZnO 叉指状电极结构探测器的制备 | 第58-60页 |
| ·探测器性能测试及结果讨论 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第67-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
