| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| ·薄膜晶体管的发展历程 | 第10-15页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理及其性能指标 | 第15-18页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理 | 第15-17页 |
| ·表征薄膜晶体管器件电学性能的主要参数 | 第17-18页 |
| ·薄膜晶体管的主要结构类型 | 第18-19页 |
| ·TFT主要类型典型器件性能分析 | 第19-21页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)性能特点 | 第19页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFT)性能特点 | 第19-20页 |
| ·有机薄膜晶体管(OTFT)性能特点 | 第20页 |
| ·氧化物半导体薄膜晶体管性能特点 | 第20-21页 |
| ·ZnO薄膜的特质及其应用 | 第21-23页 |
| ·ZnO薄膜的性质 | 第21-22页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第22-23页 |
| ·论文主要概况 | 第23页 |
| ·论文纲要 | 第23-24页 |
| 第2章 薄膜晶体管的制备方法与测试仪器 | 第24-35页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第24-31页 |
| ·蒸发镀膜法 | 第24-25页 |
| ·溅射镀膜 | 第25-29页 |
| ·离子镀膜 | 第29页 |
| ·溶液镀膜法 | 第29-30页 |
| ·化学气相沉积法 | 第30-31页 |
| ·薄膜及晶体管的分析测试技术 | 第31-35页 |
| ·电学分析测试技术 | 第31-32页 |
| ·光学分析技术 | 第32-33页 |
| ·薄膜结构及形貌分析技术 | 第33-35页 |
| 第3章 ZnO-TFTs器件的各结构薄膜层制备及特性表征 | 第35-50页 |
| ·ITO电极的制备及性能表征 | 第35-41页 |
| ·射频磁控溅射生长的ITO薄膜 | 第35-40页 |
| ·直流(DC)溅射生长的ITO薄膜 | 第40-41页 |
| ·栅介质层的的制备及性能表征 | 第41-45页 |
| ·SiO_2栅介质薄膜的制备 | 第42-43页 |
| ·SiO_2栅介质薄膜的表征 | 第43-45页 |
| ·ZnO沟道层的的制备及性能表征 | 第45-49页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第45页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜性能的影响 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 ZnO薄膜晶体管(TFT)的制备与性能分析 | 第50-59页 |
| ·ZnO TFT结构设计 | 第50页 |
| ·ZnO TFT的制备工艺 | 第50-53页 |
| ·衬底清洗 | 第50-51页 |
| ·射频磁控溅射生长ITO栅极 | 第51页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法制备SiO_2栅介质层 | 第51-52页 |
| ·磁控溅射制备ZnO沟道层 | 第52页 |
| ·电子束蒸发制备Al电极 | 第52-53页 |
| ·ZnO TFT的测试及相关讨论 | 第53-56页 |
| ·ZnO TFT的稳定性的相关讨论 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第69页 |
