| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 注释表 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 单晶锗的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.2.1 单晶锗的性质 | 第15-16页 |
| 1.2.2 单晶锗片的加工工艺 | 第16-17页 |
| 1.2.3 加工表面质量评价 | 第17-19页 |
| 1.3 固结磨料抛光技术研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3.1 固结磨料抛光技术 | 第19-20页 |
| 1.3.2 低温抛光技术 | 第20-21页 |
| 1.4 本文的研究目的、意义与主要内容 | 第21-23页 |
| 1.4.1 目的与意义 | 第21页 |
| 1.4.2 研究的主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 环境温度对单晶锗研磨片表面/亚表面损伤影响的实验研究 | 第23-39页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 温度对表面与亚表面损伤影响的对比实验 | 第23-30页 |
| 2.2.1 亚表面损伤机理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 实验材料与仪器 | 第24-25页 |
| 2.2.3 实验设计 | 第25页 |
| 2.2.4 角度抛光法原理与试样制备 | 第25-26页 |
| 2.2.5 腐蚀液的选择与腐蚀时间的确定 | 第26-27页 |
| 2.2.6 实验结果与分析 | 第27-30页 |
| 2.3 环境温度对单晶锗片摩擦磨损行为的影响 | 第30-37页 |
| 2.3.1 摩擦磨损理论概述 | 第30-32页 |
| 2.3.2 实验设备与仪器 | 第32-33页 |
| 2.3.3 实验方案 | 第33-34页 |
| 2.3.4 SiC偶件与单晶锗片对摩 | 第34-36页 |
| 2.3.5 固结磨料偶件与单晶锗片对摩 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 冰粒固结磨料化学机械抛光的材料去除机理研究 | 第39-53页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 实验材料与方法 | 第39-42页 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 | 第39-41页 |
| 3.2.2 实验方法 | 第41-42页 |
| 3.3 摩擦磨损实验结果与分析 | 第42-49页 |
| 3.3.1 温度对摩擦磨损行为的影响 | 第42-45页 |
| 3.3.2 转速对摩擦磨损行为的影响 | 第45-46页 |
| 3.3.3 压力对摩擦磨损行为的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.4 氧化剂浓度对摩擦磨损行为的影响 | 第47-49页 |
| 3.4 冰粒固结磨料抛光垫的磨损 | 第49-50页 |
| 3.5 冰粒固结磨料抛光锗片的材料去除机理分析 | 第50-52页 |
| 3.5.1 单晶锗片表层材料去除量 | 第50-51页 |
| 3.5.2 化学—机械复合作用机理 | 第51-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 冰粒固结磨料抛光单晶锗片的工艺研究 | 第53-67页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 冰粒固结磨料垫的制备 | 第53页 |
| 4.3 单晶锗切割片的预处理 | 第53-54页 |
| 4.4 实验方案 | 第54-56页 |
| 4.5 半精抛工艺研究 | 第56-62页 |
| 4.5.1 工艺参数对材料去除率的影响 | 第56-58页 |
| 4.5.2 工艺参数对表面粗糙度的影响 | 第58-60页 |
| 4.5.3 离差分析与综合评定 | 第60-62页 |
| 4.6 精抛工艺研究 | 第62-65页 |
| 4.6.1 工艺参数对表面粗糙度的影响 | 第63-65页 |
| 4.6.2 离差分析 | 第65页 |
| 4.7 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 总结 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 在校期间的研究成果及发表的学术论文 | 第75页 |